Tipo programable: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 20.0ns, Suministro de voltaje: interno: 3V ~ 3.6V, Número de macrocélulas: 32,
Tipo programable: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 7.5ns, Suministro de voltaje: interno: 4.75V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 32,
Tipo programable: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 15.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.75V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 32,
Tipo programable: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 15.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.5V ~ 5.5V, Número de macrocélulas: 32,
Tipo programable: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 15.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.75V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 32,
Tipo programable: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 10.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.5V ~ 5.5V, Número de macrocélulas: 32,
Tipo programable: In System Programmable (min 100 program/erase cycles), Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 20.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.5V ~ 5.5V, Número de macrocélulas: 32,
Tipo programable: In System Programmable (min 100 program/erase cycles), Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 20.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.75V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 32,
Tipo programable: In System Programmable (min 100 program/erase cycles), Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 20.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.75V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 32,
Tipo programable: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 15.0ns, Suministro de voltaje: interno: 3V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 32,
Tipo programable: In System Programmable (min 100 program/erase cycles), Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 20.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.5V ~ 5.5V, Número de macrocélulas: 32,
Tipo programable: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 12.0ns, Suministro de voltaje: interno: 3V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 32,
Tipo programable: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 15.0ns, Suministro de voltaje: interno: 3V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 32,
Tipo programable: In System Programmable (min 100 program/erase cycles), Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 7.5ns, Suministro de voltaje: interno: 4.75V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 32,
Tipo programable: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 12.0ns, Suministro de voltaje: interno: 3V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 32,
Tipo programable: In System Programmable (min 100 program/erase cycles), Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 15.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.75V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 32,
Tipo programable: In System Programmable (min 100 program/erase cycles), Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 7.5ns, Suministro de voltaje: interno: 4.75V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 32,
Tipo programable: In System Programmable (min 100 program/erase cycles), Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 15.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.5V ~ 5.5V, Número de macrocélulas: 32,
Tipo programable: In System Programmable (min 100 program/erase cycles), Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 15.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.75V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 32,
Tipo programable: In System Programmable (min 100 program/erase cycles), Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 15.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.5V ~ 5.5V, Número de macrocélulas: 32,
Tipo programable: In System Programmable (min 100 program/erase cycles), Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 12.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.5V ~ 5.5V, Número de macrocélulas: 32,
Tipo programable: In System Programmable (min 100 program/erase cycles), Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 12.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.75V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 32,
Tipo programable: In System Programmable (min 100 program/erase cycles), Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 10.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.5V ~ 5.5V, Número de macrocélulas: 32,
Tipo programable: In System Programmable (min 100 program/erase cycles), Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 12.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.75V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 32,
Tipo programable: In System Programmable (min 100 program/erase cycles), Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 10.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.5V ~ 5.5V, Número de macrocélulas: 32,
Tipo programable: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 15.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.75V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 10,
Tipo programable: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 15.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.75V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 10,
Tipo programable: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 15.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.75V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 10,
Tipo programable: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 15.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.75V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 10,
Tipo programable: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 15.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.75V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 10,
Tipo programable: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 20.0ns, Suministro de voltaje: interno: 3V ~ 3.6V, Número de macrocélulas: 128,
Tipo programable: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 15.0ns, Suministro de voltaje: interno: 3V ~ 3.6V, Número de macrocélulas: 128,
