Transistores - FET, MOSFET - Matrices | Productos semiconductores discretos | 1

TC6320TG-G

parte del stock: 68318

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,

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Microchip Technology

TC7920K6-G

parte del stock: 49864

Tipo de FET: 2 N and 2 P-Channel, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA,

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Microchip Technology

TD9944TG-G

parte del stock: 65575

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 240V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,

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Microchip Technology

TC2320TG-G

parte del stock: 63061

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,

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Microchip Technology

TC6320K6-G

parte del stock: 71235

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,

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Microchip Technology

TC8020K6-G-M937

parte del stock: 11166

Tipo de FET: 6 N and 6 P-Channel, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA,

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Microchip Technology

TC6321T-V/9U

parte del stock: 64633

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V, 8 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, 2.4V @ 1mA,

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Microchip Technology

DN2625DK6-G

parte del stock: 28122

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Depletion Mode, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 250V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.1A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 1A, 0V,

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Microchip Technology

TC6215TG-G

parte del stock: 66450

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 150V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,

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Microchip Technology

TC8020K6-G

parte del stock: 8617

Tipo de FET: 6 N and 6 P-Channel, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA,

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Microchip Technology

TC1550TG-G

parte del stock: 16138

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 60 Ohm @ 50mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

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Microchip Technology

LP1030DK1-G

parte del stock: 2955

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 300V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 180 Ohm @ 20mA, 7V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA,

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Microchip Technology

LN100LA-G

parte del stock: 2875

Tipo de FET: 2 N-Channel (Cascoded), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200V (1.2kV), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3000 Ohm @ 2mA, 2.8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 10µA,

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Microchip Technology

TC8220K6-G

parte del stock: 47950

Tipo de FET: 2 N and 2 P-Channel, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA,

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