Transistores - FET, MOSFET - Sencillo

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Transistores - FET, MOSFET - Sencillo

TP2540N3-G-P002

Microchip Technology

TP2540N3-G-P002

parte del stock: 65888

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 400V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 86mA (Tj), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

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Microchip Technology

VN10KN3-G-P003

parte del stock: 174415

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 310mA (Tj), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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LND150N3-G-P002

Microchip Technology

LND150N3-G-P002

parte del stock: 183557

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 30mA (Tj), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 0V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

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TN0604N3-G-P005

Microchip Technology

TN0604N3-G-P005

parte del stock: 87196

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 700mA (Tj), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 1.5A, 10V,

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Microchip Technology

MCP87055T-U/LC

parte del stock: 166136

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 60A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 20A, 10V,

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TN0620N3-G-P014

Microchip Technology

TN0620N3-G-P014

parte del stock: 71164

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 250mA (Tj), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

VN2410L-G-P014

parte del stock: 96918

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 240V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 190mA (Tj), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 2.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

TN2124K1-G

parte del stock: 145383

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 240V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 134mA (Tj), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 3V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 120mA, 4.5V,

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Microchip Technology

VP2450N8-G

parte del stock: 58167

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 160mA (Tj), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 30 Ohm @ 100mA, 10V,

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Microchip Technology

TP2522N8-G

parte del stock: 71202

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 220V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 260mA (Tj), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 200mA, 10V,

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Microchip Technology

TN5335K1-G

parte del stock: 124592

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 350V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 110mA (Tj), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 3V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 200mA, 10V,

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Microchip Technology

TP5322N8-G

parte del stock: 145311

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 220V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 260mA (Tj), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 200mA, 10V,

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Microchip Technology

DN3535N8-G

parte del stock: 136838

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 350V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 230mA (Tj), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 0V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 150mA, 0V,

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TP0606N3-G-P002

Microchip Technology

TP0606N3-G-P002

parte del stock: 102565

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 320mA (Tj), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 750mA, 10V,

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Microchip Technology

TN5325N8-G

parte del stock: 158539

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 250V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 316mA (Tj), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V,

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TN5325N3-G-P002

Microchip Technology

TN5325N3-G-P002

parte del stock: 145391

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 250V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 215mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V,

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TP0606N3-G-P003

Microchip Technology

TP0606N3-G-P003

parte del stock: 102649

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 320mA (Tj), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 750mA, 10V,

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Microchip Technology

TP2510N8-G

parte del stock: 81155

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 480mA (Tj), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 750mA, 10V,

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Microchip Technology

TN0106N3-G

parte del stock: 93893

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 350mA (Tj), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

TP0604N3-G

parte del stock: 57712

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 430mA (Tj), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 10V,

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Microchip Technology

VN3205N3-G

parte del stock: 56360

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 50V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.2A (Tj), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 3A, 10V,

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Microchip Technology

VN4012L-G

parte del stock: 47260

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 400V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 160mA (Tj), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 100mA, 4.5V,

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Microchip Technology

VP2206N2

parte del stock: 5360

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 750mA (Tj), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3.5A, 10V,

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Microchip Technology

TP2540N3-G

parte del stock: 52692

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 400V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 86mA (Tj), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

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Microchip Technology

DN3545N3-G

parte del stock: 104685

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 450V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 136mA, Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 0V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 150mA, 0V,

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Microchip Technology

TP2640N3-G

parte del stock: 45489

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 400V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 180mA (Tj), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 2.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 300mA, 10V,

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Microchip Technology

TN0610N3-G

parte del stock: 73267

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 500mA (Tj), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 3V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 750mA, 10V,

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Microchip Technology

TP0620N3-G

parte del stock: 52772

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 175mA (Tj), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 200mA, 10V,

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Microchip Technology

VN2450N3-G

parte del stock: 64862

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 200mA (Tj), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 400mA, 10V,

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Microchip Technology

TP2635N3-G

parte del stock: 47311

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 350V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 180mA (Tj), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 2.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 300mA, 10V,

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Microchip Technology

VN0606L-G

parte del stock: 62684

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 330mA (Tj), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

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Microchip Technology

VN2460N3-G

parte del stock: 62683

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 160mA (Tj), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 100mA, 10V,

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Microchip Technology

VN0808L-G

parte del stock: 62599

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 80V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 300mA (Tj), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

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Microchip Technology

TN0606N3-G

parte del stock: 93941

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 500mA (Tj), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 3V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 750mA, 10V,

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Microchip Technology

VP2450N3-G

parte del stock: 46076

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 100mA (Tj), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 30 Ohm @ 100mA, 10V,

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Microchip Technology

DN2540N5-G

parte del stock: 53451

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 400V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 500mA (Tj), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 0V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

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