Diodos - Rectificadores - Sencillo

IDH08G65C5XKSA2

parte del stock: 17096

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 8A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

IDK05G65C5XTMA2

parte del stock: 51817

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 5A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 5A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

GATELEADWHRD762XPSA1

parte del stock: 194

IDH04G65C6XKSA1

parte del stock: 31780

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 12A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 4A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

GATELEADWHBK750XXPSA1

parte del stock: 166

IDH03G65C5XKSA2

parte del stock: 38597

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 3A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 3A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

IDL08G65C5XUMA2

parte del stock: 167

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 8A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

IDK04G65C5XTMA2

parte del stock: 62465

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 4A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 4A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

IDH02G65C5XKSA2

parte del stock: 207

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 2A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

IDH04SG60CXKSA2

parte del stock: 216

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 4A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 4A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

IDD05SG60CXTMA2

parte del stock: 148

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 5A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 5A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

IDK08G65C5XTMA2

parte del stock: 219

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 8A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 8A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

IDH03SG60CXKSA2

parte del stock: 141

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 3A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 3A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

IDH05G65C5XKSA2

parte del stock: 217

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 5A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

IDK03G65C5XTMA2

parte del stock: 78467

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 3A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 3A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

IDL06G65C5XUMA2

parte del stock: 164

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 6A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 6A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

IDD04SG60CXTMA2

parte del stock: 217

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 4A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 4A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

IDL02G65C5XUMA2

parte del stock: 197

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 2A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

GATELEADWHBU445XXPSA1

parte del stock: 130

GATELEADMPWHPK1258XXPSA1

parte del stock: 222

IDW30G65C5XKSA1

parte del stock: 5618

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 30A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 30A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

IDW24G65C5BXKSA2

parte del stock: 8231

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 12A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 12A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

IDH10G65C5XKSA2

parte del stock: 13701

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 10A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

IDH05SG60CXKSA2

parte del stock: 169

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 5A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 5A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

IDK09G65C5XTMA2

parte del stock: 28769

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 9A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 9A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

IDW20G65C5BXKSA2

parte del stock: 9329

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 10A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

GATELEADWHBN661XXPSA1

parte del stock: 133

IDL04G65C5XUMA2

parte del stock: 178

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 4A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 4A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

IDW20G65C5XKSA1

parte del stock: 7363

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 20A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 20A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

IDW40G65C5BXKSA2

parte del stock: 4935

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 20A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 20A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

IDD03SG60CXTMA2

parte del stock: 202

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 3A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 3A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

IDH16G65C5XKSA2

parte del stock: 9608

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 16A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 16A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

IDH06G65C6XKSA1

parte del stock: 25253

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 16A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 6A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

IDP30E65D1XKSA1

parte del stock: 46102

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 60A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 30A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 64ns,

IDP1301GXUMA1

parte del stock: 50176

D911SH45T

parte del stock: 250

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 4500V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1140A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 6V @ 2500A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),