Diodos - Rectificadores - Sencillo

IRD3CH31DD6

parte del stock: 2359

D770N14TXPSA1

parte del stock: 2110

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 770A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.08V @ 400A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDV30E65D2XKSA1

parte del stock: 46154

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 30A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 2.2V @ 30A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 42ns,

IDV20E65D1XKSA1

parte del stock: 47923

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 28A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 20A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 42ns,

IDH08G65C6XKSA1

parte del stock: 18927

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 20A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 8A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

D770N12TXPSA1

parte del stock: 2033

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 770A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.08V @ 400A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D1050N12TXPSA1

parte del stock: 2267

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1050A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1000A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDP08E65D1XKSA1

parte del stock: 67894

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 8A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 80ns,

D770N20TXPSA1

parte del stock: 2099

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 2000V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 770A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.08V @ 400A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D820N20TXPSA1

parte del stock: 2264

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 2000V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 820A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 750A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDH05G120C5XKSA1

parte del stock: 13098

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 5A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 5A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

IDH10G120C5XKSA1

parte del stock: 8281

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 10A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 10A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

IDP15E65D2XKSA1

parte del stock: 59599

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 15A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 15A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 47ns,

IDW12G65C5XKSA1

parte del stock: 12018

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 12A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 12A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

IDH20G120C5XKSA1

parte del stock: 4502

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 56A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 20A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

IDV06S60CXKSA1

parte del stock: 1555

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 6A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 6A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

HFA15PB60PBF

parte del stock: 26323

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 15A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 15A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 60ns,

IDH06G65C5XKSA1

parte del stock: 1624

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 6A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 6A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

IDW30G65C5FKSA1

parte del stock: 1668

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 30A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 30A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

IDW10G65C5FKSA1

parte del stock: 1640

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 10A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

IDB12E120ATMA1

parte del stock: 1490

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 28A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 2.15V @ 12A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 150ns,

IDP09E120

parte del stock: 1554

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 23A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 2.15V @ 9A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 140ns,

IDH20G65C5XKSA1

parte del stock: 1630

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 20A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 20A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

IDB23E60ATMA1

parte del stock: 1521

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 41A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 2V @ 23A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 120ns,

IDD03SG60CXTMA1

parte del stock: 1478

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 3A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 3A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

IDB15E60

parte del stock: 1514

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 29.2A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 2V @ 15A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 87ns,

IDH03G65C5XKSA1

parte del stock: 1609

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 3A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 3A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

IDV05S60CXKSA1

parte del stock: 1514

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 5A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

IDW16G65C5FKSA1

parte del stock: 5259

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 16A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 16A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

IDP06E60

parte del stock: 1466

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 14.7A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 2V @ 6A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 70ns,

IDH08G65C5XKSA1

parte del stock: 1682

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 8A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

IDB45E60ATMA1

parte del stock: 1500

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 71A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 2V @ 45A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 140ns,

IDW12G65C5FKSA1

parte del stock: 1666

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 12A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 12A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

IDH09G65C5XKSA1

parte del stock: 1642

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 9A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 9A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

IDH10G65C6XKSA1

parte del stock: 15125

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 24A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 10A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 0ns,

IDV30E60C

parte del stock: 5572

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 21A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 2.05V @ 30A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 130ns,