Transistores - FET, MOSFET - Sencillo

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Transistores - FET, MOSFET - Sencillo

IPW65R280C6FKSA1

Infineon Technologies

IPW65R280C6FKSA1

parte del stock: 30026

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 13.8A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 4.4A, 10V,

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IPP65R660CFDXKSA1

Infineon Technologies

IPP65R660CFDXKSA1

parte del stock: 71639

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 660 mOhm @ 2.1A, 10V,

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SN7002NH6327XTSA1

Infineon Technologies

SN7002NH6327XTSA1

parte del stock: 1468

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 200mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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IPD122N10N3GBTMA1

Infineon Technologies

IPD122N10N3GBTMA1

parte del stock: 1414

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 59A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 6V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 12.2 mOhm @ 46A, 10V,

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IPB65R600C6ATMA1

Infineon Technologies

IPB65R600C6ATMA1

parte del stock: 96627

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7.3A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 2.1A, 10V,

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IPL60R210P6AUMA1

Infineon Technologies

IPL60R210P6AUMA1

parte del stock: 57470

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 19.2A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 7.6A, 10V,

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IPB039N04LGATMA1

Infineon Technologies

IPB039N04LGATMA1

parte del stock: 1437

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 80A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 80A, 10V,

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IPN50R1K4CEATMA1

Infineon Technologies

IPN50R1K4CEATMA1

parte del stock: 181536

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.8A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 13V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 900mA, 13V,

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IPW65R190C6FKSA1

Infineon Technologies

IPW65R190C6FKSA1

parte del stock: 24551

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 20.2A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 7.3A, 10V,

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IPP90N04S402AKSA1

Infineon Technologies

IPP90N04S402AKSA1

parte del stock: 1192

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 90A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 90A, 10V,

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IPW65R310CFDFKSA1

Infineon Technologies

IPW65R310CFDFKSA1

parte del stock: 32469

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 11.4A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 310 mOhm @ 4.4A, 10V,

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IPN50R3K0CEATMA1

Infineon Technologies

IPN50R3K0CEATMA1

parte del stock: 109700

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.6A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 13V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 400mA, 13V,

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Infineon Technologies

IRFH7107TR2PBF

parte del stock: 1447

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 75V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 14A (Ta), 75A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 45A, 10V,

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IPN70R600P7SATMA1

Infineon Technologies

IPN70R600P7SATMA1

parte del stock: 130801

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 700V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8.5A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 1.8A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFR4620TRLPBF

parte del stock: 102980

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 24A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 15A, 10V,

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IPD530N15N3GBTMA1

Infineon Technologies

IPD530N15N3GBTMA1

parte del stock: 1479

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 150V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 21A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 8V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 18A, 10V,

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Infineon Technologies

IRLML6244TRPBF

parte del stock: 104946

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6.3A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 2.5V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 6.3A, 4.5V,

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IPB072N15N3GE8187ATMA1

Infineon Technologies

IPB072N15N3GE8187ATMA1

parte del stock: 1460

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 150V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 8V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 100A, 10V,

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IPB65R660CFDATMA1

Infineon Technologies

IPB65R660CFDATMA1

parte del stock: 6165

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 660 mOhm @ 2.1A, 10V,

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IPN80R750P7ATMA1

Infineon Technologies

IPN80R750P7ATMA1

parte del stock: 9916

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 800V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 2.7A, 10V,

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IPD038N04NGBTMA1

Infineon Technologies

IPD038N04NGBTMA1

parte del stock: 1444

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 90A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 90A, 10V,

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IPB230N06L3GATMA1

Infineon Technologies

IPB230N06L3GATMA1

parte del stock: 1420

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 30A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 30A, 10V,

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Infineon Technologies

IRL2910PBF

parte del stock: 30729

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 55A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 29A, 10V,

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IPI65R600C6XKSA1

Infineon Technologies

IPI65R600C6XKSA1

parte del stock: 76220

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7.3A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 2.1A, 10V,

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IPN70R2K0P7SATMA1

Infineon Technologies

IPN70R2K0P7SATMA1

parte del stock: 9932

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 700V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

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IPP120N04S402AKSA1

Infineon Technologies

IPP120N04S402AKSA1

parte del stock: 1208

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 120A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 100A, 10V,

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IPP65R280C6XKSA1

Infineon Technologies

IPP65R280C6XKSA1

parte del stock: 48437

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 13.8A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 4.4A, 10V,

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IPI65R110CFDXKSA1

Infineon Technologies

IPI65R110CFDXKSA1

parte del stock: 19795

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 31.2A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 12.7A, 10V,

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IPL60R085P7AUMA1

Infineon Technologies

IPL60R085P7AUMA1

parte del stock: 9982

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 39A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 11.8A, 10V,

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IPN80R2K4P7ATMA1

Infineon Technologies

IPN80R2K4P7ATMA1

parte del stock: 9955

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 800V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.5A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 800mA, 10V,

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IPB60R950C6ATMA1

Infineon Technologies

IPB60R950C6ATMA1

parte del stock: 1419

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.4A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 1.5A, 10V,

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IPB009N03LGATMA1

Infineon Technologies

IPB009N03LGATMA1

parte del stock: 9903

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 180A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 0.95 mOhm @ 100A, 10V,

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IPD90R1K2C3BTMA1

Infineon Technologies

IPD90R1K2C3BTMA1

parte del stock: 1460

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 900V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5.1A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.8A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFI4410ZGPBF

parte del stock: 1390

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 43A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 26A, 10V,

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IPB65R380C6ATMA1

Infineon Technologies

IPB65R380C6ATMA1

parte del stock: 70807

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 10.6A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 3.2A, 10V,

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IPD65R380E6BTMA1

Infineon Technologies

IPD65R380E6BTMA1

parte del stock: 93019

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 10.6A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 3.2A, 10V,

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