Transistores - FET, MOSFET - Sencillo

IRFIZ44NPBF

parte del stock: 42330

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 31A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 17A, 10V,

IRF1324STRLPBF

parte del stock: 1539

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 24V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 195A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.65 mOhm @ 195A, 10V,

IRLB4132PBF

parte del stock: 75523

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 78A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 40A, 10V,

IRF7342D2TRPBF

parte del stock: 1461

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.4A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V,

IPP60R600P6XKSA1

parte del stock: 80583

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7.3A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 2.4A, 10V,

IRF7799L2TRPBF

parte del stock: 1681

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 250V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 375A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 21A, 10V,

IPA50R190CE

parte del stock: 1521

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 18.5A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 13V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 6.2A, 13V,

IPD80R600P7ATMA1

parte del stock: 92050

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 800V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.4A, 10V,

IPD60R600E6

parte del stock: 133213

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7.3A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 2.4A, 10V,

IPD038N06N3GATMA1

parte del stock: 99331

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 90A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 90A, 10V,

IPP90R1K2C3XKSA1

parte del stock: 10932

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 900V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5.1A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.8A, 10V,

SPP20N60C3HKSA1

parte del stock: 1519

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 20.7A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 13.1A, 10V,

IRF7606TR

parte del stock: 6220

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.6A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.4A, 10V,

IPD90P03P4L04ATMA1

parte del stock: 96927

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 90A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 90A, 10V,

IPA50R500CE

parte del stock: 1489

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7.6A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 13V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 2.3A, 13V,

IRFH7110TR2PBF

parte del stock: 1438

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 11A (Ta), 58A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 35A, 10V,

IRF1902GTRPBF

parte del stock: 1457

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.2A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 4A, 4.5V,

IRFH4210TRPBF

parte del stock: 6234

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 45A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.35 mOhm @ 50A, 10V,

IRF1902GPBF

parte del stock: 1502

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.2A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 4A, 4.5V,

IRFH7440TR2PBF

parte del stock: 1552

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 85A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 6V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 50A, 10V,

IPU50R950CEBKMA1

parte del stock: 1576

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.3A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 13V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 1.2A, 13V,

IRF9383MTR1PBF

parte del stock: 6220

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 22A (Ta), 160A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 22A, 10V,

IPD053N08N3GBTMA1

parte del stock: 1565

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 80V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 90A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 6V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 90A, 10V,

IRFR7440PBF

parte del stock: 1493

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 90A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 6V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 90A, 10V,

IPZ65R019C7XKSA1

parte del stock: 3706

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 58.3A, 10V,

SPB42N03S2L-13 G

parte del stock: 1612

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 42A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 12.6 mOhm @ 21A, 10V,

IPW50R280CEFKSA1

parte del stock: 6237

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 13A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 13V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 4.2A, 13V,

IPDH6N03LAG

parte del stock: 1579

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 50A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

IPW65R019C7FKSA1

parte del stock: 3177

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 58.3A, 10V,

IRF3205ZPBF

parte del stock: 46424

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 66A, 10V,

IRFI4229PBF

parte del stock: 20925

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 250V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 19A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 11A, 10V,

IRF7701TRPBF

parte del stock: 1617

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 12V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 10A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 1.8V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 10A, 4.5V,

IPD80R1K4P7ATMA1

parte del stock: 156243

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 800V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 1.4A, 10V,

IRF7738L2TRPBF

parte del stock: 6187

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 35A (Ta), 184A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 109A, 10V,

IRFHP8321TRPBF

parte del stock: 1487

IRFB7437GPBF

parte del stock: 1483

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 195A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 6V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 100A, 10V,