Diodos - Rectificadores - Matrices | Productos semiconductores discretos | 3

GSXD060A018S1-D3

parte del stock: 3533

Configuración de diodos: 2 Independent, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 180V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 60A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 60A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXD060A010S1-D3

parte del stock: 4530

Configuración de diodos: 2 Independent, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 100V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 60A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 60A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXF100A100S1-D3

parte del stock: 3391

Configuración de diodos: 2 Independent, Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1000V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 100A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 2.35V @ 100A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXD100A012S1-D3

parte del stock: 3525

Configuración de diodos: 2 Independent, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 120V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 100A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 100A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXF060A120S1-D3

parte del stock: 3187

Configuración de diodos: 2 Independent, Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1200V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 60A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 2.35V @ 60A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXD160A015S1-D3

parte del stock: 2582

Configuración de diodos: 2 Independent, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 150V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 160A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 160A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXD120A004S1-D3

parte del stock: 3499

Configuración de diodos: 2 Independent, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 45V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 120A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 120A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXF030A020S1-D3

parte del stock: 4278

Configuración de diodos: 2 Independent, Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 30A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1V @ 30A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXD100A018S1-D3

parte del stock: 3373

Configuración de diodos: 2 Independent, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 180V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 100A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 100A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXD050A015S1-D3

parte del stock: 4033

Configuración de diodos: 2 Independent, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 150V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 50A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 50A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXF120A120S1-D3

parte del stock: 3269

Configuración de diodos: 2 Independent, Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1200V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 120A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 2.35V @ 120A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXD060A008S1-D3

parte del stock: 3820

Configuración de diodos: 2 Independent, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 80V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 60A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 60A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXD160A008S1-D3

parte del stock: 2764

Configuración de diodos: 2 Independent, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 80V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 160A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 160A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXD080A004S1-D3

parte del stock: 4780

Configuración de diodos: 2 Independent, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 45V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 80A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 80A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXD100A015S1-D3

parte del stock: 3546

Configuración de diodos: 2 Independent, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 150V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 100A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 100A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXD080A015S1-D3

parte del stock: 3626

Configuración de diodos: 2 Independent, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 150V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 80A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 80A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GSXD080A012S1-D3

parte del stock: 3740

Configuración de diodos: 2 Independent, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 120V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 80A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 80A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GP2D030A120U

parte del stock: 4458

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1200V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 50A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 15A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io),

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GP2D060A120U

parte del stock: 2940

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1200V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 94A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 30A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GDP30D120B

parte del stock: 4177

Configuración de diodos: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1200V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 15A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 15A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GP2D020A065U

parte del stock: 12168

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 650V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 30A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.65V @ 10A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GDP24D060B

parte del stock: 4184

Configuración de diodos: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 12A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 12A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GP2D020A120U

parte del stock: 7944

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1200V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 33A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 10A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GDP60D120B

parte del stock: 4163

Configuración de diodos: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1200V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 30A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 30A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GP2D010A120U

parte del stock: 15850

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1200V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 17A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 5A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GDP60Y120B

parte del stock: 4230

Configuración de diodos: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1200V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 30A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 30A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GP2D040A120U

parte del stock: 4340

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1200V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 65A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 20A, Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GDP48Y060B

parte del stock: 4217

Configuración de diodos: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 24A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 24A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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