Diodos - Rectificadores de puente | Productos semiconductores discretos | 1

GHXS010A060S-D1

parte del stock: 2081

Tipo de diodo: Single Phase, Tecnología: Silicon Carbide Schottky, Voltaje: pico inverso (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 10A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A, Corriente - Fuga inversa @ Vr: 100µA @ 600V,

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Global Power Technologies Group

GHXS045A120S-D1

parte del stock: 537

Tipo de diodo: Single Phase, Tecnología: Silicon Carbide Schottky, Voltaje: pico inverso (máx.): 1.2kV, Corriente - Rectificado promedio (Io): 45A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 45A, Corriente - Fuga inversa @ Vr: 300µA @ 1200V,

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Global Power Technologies Group

GHXS045A120S-D1E

parte del stock: 534

Tipo de diodo: Single Phase, Tecnología: Silicon Carbide Schottky, Voltaje: pico inverso (máx.): 1.2kV, Corriente - Rectificado promedio (Io): 45A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 45A, Corriente - Fuga inversa @ Vr: 300µA @ 1200V,

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Global Power Technologies Group

GHXS015A120S-D1E

parte del stock: 1190

Tipo de diodo: Single Phase, Tecnología: Silicon Carbide Schottky, Voltaje: pico inverso (máx.): 1.2kV, Corriente - Rectificado promedio (Io): 15A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 15A, Corriente - Fuga inversa @ Vr: 100µA @ 1200V,

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Global Power Technologies Group

GHXS015A120S-D1

parte del stock: 1154

Tipo de diodo: Single Phase, Tecnología: Silicon Carbide Schottky, Voltaje: pico inverso (máx.): 1.2kV, Corriente - Rectificado promedio (Io): 15A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 15A, Corriente - Fuga inversa @ Vr: 100µA @ 1200V,

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Global Power Technologies Group

GHXS020A060S-D1

parte del stock: 1478

Tipo de diodo: Single Phase, Tecnología: Silicon Carbide Schottky, Voltaje: pico inverso (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 20A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 20A, Corriente - Fuga inversa @ Vr: 200µA @ 600V,

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Global Power Technologies Group

GHXS030A060S-D1

parte del stock: 1214

Tipo de diodo: Single Phase, Tecnología: Silicon Carbide Schottky, Voltaje: pico inverso (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 30A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 30A, Corriente - Fuga inversa @ Vr: 100µA @ 600V,

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Global Power Technologies Group

GHXS030A120S-D1

parte del stock: 658

Tipo de diodo: Single Phase, Tecnología: Silicon Carbide Schottky, Voltaje: pico inverso (máx.): 1.2kV, Corriente - Rectificado promedio (Io): 30A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 30A, Corriente - Fuga inversa @ Vr: 200µA @ 1200V,

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Global Power Technologies Group

GHXS030A120S-D1E

parte del stock: 720

Tipo de diodo: Single Phase, Tecnología: Silicon Carbide Schottky, Voltaje: pico inverso (máx.): 1.2kV, Corriente - Rectificado promedio (Io): 30A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 30A, Corriente - Fuga inversa @ Vr: 200µA @ 1200V,

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Global Power Technologies Group

GHXS020A060S-D1E

parte del stock: 1471

Tipo de diodo: Single Phase, Tecnología: Silicon Carbide Schottky, Voltaje: pico inverso (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 20A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 20A, Corriente - Fuga inversa @ Vr: 200µA @ 600V,

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Global Power Technologies Group

GHXS010A060S-D1E

parte del stock: 2062

Tipo de diodo: Single Phase, Tecnología: Silicon Carbide Schottky, Voltaje: pico inverso (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 10A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A, Corriente - Fuga inversa @ Vr: 100µA @ 600V,

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GHXS030A060S-D1E

parte del stock: 1161

Tipo de diodo: Single Phase, Tecnología: Silicon Carbide Schottky, Voltaje: pico inverso (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 30A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 30A, Corriente - Fuga inversa @ Vr: 100µA @ 600V,

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