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Memoria

MR4A08BYS35R
Everspin Technologies Inc.

MR4A08BYS35R

parte del stock: 3120

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 16Mb (2M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR2A08AMYS35
Everspin Technologies Inc.

MR2A08AMYS35

parte del stock: 3372

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 4Mb (512K x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR25H40CDC
Everspin Technologies Inc.

MR25H40CDC

parte del stock: 5195

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 4Mb (512K x 8), Frecuencia de reloj: 40MHz,

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MR20H40CDF
Everspin Technologies Inc.

MR20H40CDF

parte del stock: 4347

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 4Mb (512K x 8), Frecuencia de reloj: 50MHz,

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MR2A08ACYS35R
Everspin Technologies Inc.

MR2A08ACYS35R

parte del stock: 4312

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 4Mb (512K x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR2A16AYS35R
Everspin Technologies Inc.

MR2A16AYS35R

parte del stock: 4540

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 4Mb (256K x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR2A08AYS35R
Everspin Technologies Inc.

MR2A08AYS35R

parte del stock: 4595

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 4Mb (512K x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR2A16ACYS35R
Everspin Technologies Inc.

MR2A16ACYS35R

parte del stock: 4271

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 4Mb (256K x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR25H40CDF
Everspin Technologies Inc.

MR25H40CDF

parte del stock: 5178

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 4Mb (512K x 8), Frecuencia de reloj: 40MHz,

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MR256A08BSO35R
Everspin Technologies Inc.

MR256A08BSO35R

parte del stock: 5055

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 256Kb (32K x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR20H40CDFR
Everspin Technologies Inc.

MR20H40CDFR

parte del stock: 6410

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 4Mb (512K x 8), Frecuencia de reloj: 50MHz,

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MR0A16AVMA35R
Everspin Technologies Inc.

MR0A16AVMA35R

parte del stock: 7143

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 1Mb (64K x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR20H40DF
Everspin Technologies Inc.

MR20H40DF

parte del stock: 7092

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 4Mb (512K x 8), Frecuencia de reloj: 50MHz,

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MR0A08BSO35
Everspin Technologies Inc.

MR0A08BSO35

parte del stock: 8800

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 1Mb (128K x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR20H40DFR
Everspin Technologies Inc.

MR20H40DFR

parte del stock: 7150

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 4Mb (512K x 8), Frecuencia de reloj: 50MHz,

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MR0D08BMA45
Everspin Technologies Inc.

MR0D08BMA45

parte del stock: 6312

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 1Mb (128K x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 45ns,

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MR0A16AVMA35
Everspin Technologies Inc.

MR0A16AVMA35

parte del stock: 6821

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 1Mb (64K x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR0A16ACYS35
Everspin Technologies Inc.

MR0A16ACYS35

parte del stock: 5925

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 1Mb (64K x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR0A16ACMA35
Everspin Technologies Inc.

MR0A16ACMA35

parte del stock: 5961

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 1Mb (64K x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR0A16AMYS35R
Everspin Technologies Inc.

MR0A16AMYS35R

parte del stock: 5945

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 1Mb (64K x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR0A16AMYS35
Everspin Technologies Inc.

MR0A16AMYS35

parte del stock: 5660

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 1Mb (64K x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR25H40CDCR
Everspin Technologies Inc.

MR25H40CDCR

parte del stock: 7730

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 4Mb (512K x 8), Frecuencia de reloj: 40MHz,

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MR0A16AYS35
Everspin Technologies Inc.

MR0A16AYS35

parte del stock: 6355

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 1Mb (64K x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR0D08BMA45R
Everspin Technologies Inc.

MR0D08BMA45R

parte del stock: 8875

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 1Mb (128K x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 45ns,

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MR0A08BCSO35R
Everspin Technologies Inc.

MR0A08BCSO35R

parte del stock: 3075

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 1Mb (128K x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR25H40CDFR
Everspin Technologies Inc.

MR25H40CDFR

parte del stock: 7694

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 4Mb (512K x 8), Frecuencia de reloj: 40MHz,

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MR0A16ACMA35R
Everspin Technologies Inc.

MR0A16ACMA35R

parte del stock: 8325

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 1Mb (64K x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR0A08BCSO35
Everspin Technologies Inc.

MR0A08BCSO35

parte del stock: 3017

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 1Mb (128K x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR256A08BCSO35
Everspin Technologies Inc.

MR256A08BCSO35

parte del stock: 3064

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 256Kb (32K x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR0A08BYS35
Everspin Technologies Inc.

MR0A08BYS35

parte del stock: 6281

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 1Mb (128K x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR256A08BCSO35R
Everspin Technologies Inc.

MR256A08BCSO35R

parte del stock: 385

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 256Kb (32K x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR0A16AMA35R
Everspin Technologies Inc.

MR0A16AMA35R

parte del stock: 8881

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 1Mb (64K x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR0A08BSO35R
Everspin Technologies Inc.

MR0A08BSO35R

parte del stock: 8910

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 1Mb (128K x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR0DL08BMA45R
Everspin Technologies Inc.

MR0DL08BMA45R

parte del stock: 8487

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 1Mb (128K x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 45ns,

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MR256A08BSO35
Everspin Technologies Inc.

MR256A08BSO35

parte del stock: 8920

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 256Kb (32K x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR0A16AVYS35R
Everspin Technologies Inc.

MR0A16AVYS35R

parte del stock: 7108

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 1Mb (64K x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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