Memoria | Circuitos integrados (CI) | 4

MR4A08BCMA35

parte del stock: 2109

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 16Mb (2M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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Everspin Technologies Inc.

MR4A08BMA35

parte del stock: 2272

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 16Mb (2M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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Everspin Technologies Inc.

MR4A16BCMA35R

parte del stock: 2946

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 16Mb (1M x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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Everspin Technologies Inc.

MR4A08BCYS35

parte del stock: 2131

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 16Mb (2M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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Everspin Technologies Inc.

MR4A16BCYS35

parte del stock: 2120

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 16Mb (1M x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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Everspin Technologies Inc.

MR4A16BCMA35

parte del stock: 2128

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 16Mb (1M x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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Everspin Technologies Inc.

MR4A16BMA35

parte del stock: 2205

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 16Mb (1M x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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Everspin Technologies Inc.

MR4A16BCYS35R

parte del stock: 2969

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 16Mb (1M x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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Everspin Technologies Inc.

MR4A16BMA35R

parte del stock: 3209

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 16Mb (1M x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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Everspin Technologies Inc.

MR4A08BCMA35R

parte del stock: 2941

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 16Mb (2M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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Everspin Technologies Inc.

MR4A08BMA35R

parte del stock: 3193

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 16Mb (2M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR4A08BCYS35R

parte del stock: 2936

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 16Mb (2M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR4A16BYS35

parte del stock: 2288

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 16Mb (1M x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR25H40MDF

parte del stock: 4036

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 4Mb (512K x 8), Frecuencia de reloj: 40MHz,

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MR4A08BYS35

parte del stock: 2220

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 16Mb (2M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR2A16AVYS35

parte del stock: 2698

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 4Mb (256K x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR2A16AVMA35

parte del stock: 2651

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 4Mb (256K x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR2A16ACMA35

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Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 4Mb (256K x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR2A16ACYS35

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Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 4Mb (256K x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR2A16AVMA35R

parte del stock: 3824

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 4Mb (256K x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR2A08ACYS35

parte del stock: 3049

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 4Mb (512K x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR4A16BYS35R

parte del stock: 3172

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 16Mb (1M x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR2A08ACMA35

parte del stock: 3074

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 4Mb (512K x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR2A08AYS35

parte del stock: 3343

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 4Mb (512K x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR25H40MDFR

parte del stock: 5891

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 4Mb (512K x 8), Frecuencia de reloj: 40MHz,

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MR2A08AMYS35R

parte del stock: 3635

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 4Mb (512K x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR2A16AMA35

parte del stock: 3314

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 4Mb (256K x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR2A16AMYS35R

parte del stock: 3625

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 4Mb (256K x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR2A16AMA35R

parte del stock: 4676

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 4Mb (256K x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR2A16AYS35

parte del stock: 3300

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 4Mb (256K x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR2A08AMA35R

parte del stock: 4722

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 4Mb (512K x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR2A08ACMA35R

parte del stock: 4344

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 4Mb (512K x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR2A16ACMA35R

parte del stock: 4318

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 4Mb (256K x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR2A16AMYS35

parte del stock: 3373

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 4Mb (256K x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR2A08AMA35

parte del stock: 4378

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 4Mb (512K x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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MR2A16AVYS35R

parte del stock: 3774

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: RAM, Tecnología: MRAM (Magnetoresistive RAM), Tamaño de la memoria: 4Mb (256K x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 35ns,

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