Transistores - FET, MOSFET - Matrices | Productos semiconductores discretos | 12

DMN6066SSD-13

parte del stock: 191351

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMC4040SSD-13

parte del stock: 197787

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6.8A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

ZXMHC3F381N8TC

parte del stock: 158568

Tipo de FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.98A, 3.36A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMP3098LSD-13

parte del stock: 100979

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.4A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMC2038LVT-7

parte del stock: 126085

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.7A, 2.6A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMC4015SSD-13

parte del stock: 158558

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8.6A, 6.2A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMC2020USD-13

parte del stock: 192882

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7.8A, 6.3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN601DMK-7

parte del stock: 108557

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 510mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 200mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Diodes Incorporated

DMC3021LSD-13

parte del stock: 164162

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8.5A, 7A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN2041LSD-13

parte del stock: 151153

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7.63A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN63D8LV-7

parte del stock: 151779

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 260mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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ZDM4306NTC

parte del stock: 2685

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA,

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DMC2990UDJ-7

parte del stock: 146844

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 450mA, 310mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN2050LFDB-13

parte del stock: 178082

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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DMG6968UDM-7

parte del stock: 152996

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN6040SSD-13

parte del stock: 169983

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN3018SSD-13

parte del stock: 138401

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6.7A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN2004VK-7

parte del stock: 165948

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 540mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMP4025LSD-13

parte del stock: 193316

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6.9A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN63D8LDW-7

parte del stock: 177171

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 220mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN5L06VK-7

parte del stock: 133884

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 50V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 280mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN67D8LDW-13

parte del stock: 104906

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 230mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN2005DLP4K-7

parte del stock: 162696

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 300mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA,

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Diodes Incorporated

DI9956T

parte del stock: 2624

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.7A,

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Diodes Incorporated

DMN3190LDW-7

parte del stock: 106764

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 1.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMC31D5UDJ-7B

parte del stock: 166000

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 220mA, 200mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMP2004VK-7

parte del stock: 179589

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 530mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

ZXMN3AM832TA

parte del stock: 2640

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.9A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

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DMN61D9UDW-7

parte del stock: 182168

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 350mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMC2700UDM-7

parte del stock: 130711

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.34A, 1.14A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMHC3025LSD-13

parte del stock: 180355

Tipo de FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6A, 4.2A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMG1023UV-7

parte del stock: 104503

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.03A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN2011UFX-7

parte del stock: 171759

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12.2A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 10A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMC1017UPD-13

parte del stock: 2684

Tipo de FET: N and P-Channel Complementary, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 12V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 13A (Ta), 9.4A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V, 32 mOhm @ 8.9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

ZXMD63P03XTA

parte del stock: 60635

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 1.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

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Diodes Incorporated

DMN53D0LDW-13

parte del stock: 146068

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 50V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 360mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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