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Memoria

S29PL064J60BFW122
Cypress Semiconductor Corp

S29PL064J60BFW122

parte del stock: 3945

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NOR, Tamaño de la memoria: 64Mb (4M x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 60ns,

De deseos
S25FL132K0XBHV020
Cypress Semiconductor Corp

S25FL132K0XBHV020

parte del stock: 4470

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NOR, Tamaño de la memoria: 32Mb (4M x 8), Frecuencia de reloj: 108MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 3ms,

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S26KS512SDPBHM020
Cypress Semiconductor Corp

S26KS512SDPBHM020

parte del stock: 5073

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S34ML02G100BHA000
Cypress Semiconductor Corp

S34ML02G100BHA000

parte del stock: 5049

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND, Tamaño de la memoria: 2Gb (256M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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S34ML01G100TFI900
Cypress Semiconductor Corp

S34ML01G100TFI900

parte del stock: 4903

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND, Tamaño de la memoria: 1Gb (128M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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CG7901AA
Cypress Semiconductor Corp

CG7901AA

parte del stock: 7846

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S25FL132K0XMFV011
Cypress Semiconductor Corp

S25FL132K0XMFV011

parte del stock: 5569

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NOR, Tamaño de la memoria: 32Mb (4M x 8), Frecuencia de reloj: 108MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 3ms,

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S34ML01G200TFB000
Cypress Semiconductor Corp

S34ML01G200TFB000

parte del stock: 7531

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND, Tamaño de la memoria: 1Gb (128M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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S25FL129P0XNFV003
Cypress Semiconductor Corp

S25FL129P0XNFV003

parte del stock: 3589

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NOR, Tamaño de la memoria: 128Mb (16M x 8), Frecuencia de reloj: 104MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5µs, 3ms,

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S40410161B1B2I013
Cypress Semiconductor Corp

S40410161B1B2I013

parte del stock: 6920

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND, Tamaño de la memoria: 16Gb (2G x 8), Frecuencia de reloj: 200MHz,

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S29GL01GS11TFB010
Cypress Semiconductor Corp

S29GL01GS11TFB010

parte del stock: 160

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NOR, Tamaño de la memoria: 1Gb (64M x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 60ns,

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S25FL129P0XBHV210
Cypress Semiconductor Corp

S25FL129P0XBHV210

parte del stock: 4347

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NOR, Tamaño de la memoria: 128Mb (16M x 8), Frecuencia de reloj: 104MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5µs, 3ms,

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S34MS01G200BHV000
Cypress Semiconductor Corp

S34MS01G200BHV000

parte del stock: 6958

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND, Tamaño de la memoria: 1Gb (128M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 45ns,

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S34ML08G101TFA000
Cypress Semiconductor Corp

S34ML08G101TFA000

parte del stock: 5204

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND, Tamaño de la memoria: 8Gb (1G x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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S25FL164K0XWEI009
Cypress Semiconductor Corp

S25FL164K0XWEI009

parte del stock: 3090

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NOR, Tamaño de la memoria: 64Mb (8M x 8), Frecuencia de reloj: 108MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 3ms,

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S29PL032J70BAI123
Cypress Semiconductor Corp

S29PL032J70BAI123

parte del stock: 3935

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NOR, Tamaño de la memoria: 32Mb (2M x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 70ns,

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S29PL127J70BAW020
Cypress Semiconductor Corp

S29PL127J70BAW020

parte del stock: 7325

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NOR, Tamaño de la memoria: 128Mb (8M x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 70ns,

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S25FL129P0XBHI213
Cypress Semiconductor Corp

S25FL129P0XBHI213

parte del stock: 3403

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NOR, Tamaño de la memoria: 128Mb (16M x 8), Frecuencia de reloj: 104MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5µs, 3ms,

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S29PL127J70BFW020
Cypress Semiconductor Corp

S29PL127J70BFW020

parte del stock: 7383

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NOR, Tamaño de la memoria: 128Mb (8M x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 70ns,

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CY7C1360C-166AJXC
Cypress Semiconductor Corp

CY7C1360C-166AJXC

parte del stock: 5619

Tipo de memoria: Volatile, Formato de memoria: SRAM, Tecnología: SRAM - Synchronous, Tamaño de la memoria: 9Mb (256K x 36), Frecuencia de reloj: 166MHz,

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S34ML04G200BHA003
Cypress Semiconductor Corp

S34ML04G200BHA003

parte del stock: 4123

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND, Tamaño de la memoria: 2Gb (256M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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S34ML04G100TFA003
Cypress Semiconductor Corp

S34ML04G100TFA003

parte del stock: 4095

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND, Tamaño de la memoria: 4Gb (512M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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CY62167ELL-45ZXI
Cypress Semiconductor Corp

CY62167ELL-45ZXI

parte del stock: 5249

Tipo de memoria: Volatile, Formato de memoria: SRAM, Tecnología: SRAM - Asynchronous, Tamaño de la memoria: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 45ns,

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S70FL01GSDSBHMC10
Cypress Semiconductor Corp

S70FL01GSDSBHMC10

parte del stock: 6312

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NOR, Tamaño de la memoria: 1Gb (128M x 8), Frecuencia de reloj: 80MHz,

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S34ML04G200BHB003
Cypress Semiconductor Corp

S34ML04G200BHB003

parte del stock: 4163

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND, Tamaño de la memoria: 2Gb (256M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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S25FL164K0XBHIS33
Cypress Semiconductor Corp

S25FL164K0XBHIS33

parte del stock: 3725

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NOR, Tamaño de la memoria: 64Mb (8M x 8), Frecuencia de reloj: 108MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 3ms,

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CY7C185-1XW14I
Cypress Semiconductor Corp

CY7C185-1XW14I

parte del stock: 7608

Tipo de memoria: Volatile, Formato de memoria: SRAM, Tecnología: SRAM - Asynchronous, Tamaño de la memoria: 64Kb (8K x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 15ns,

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FM28V020-T28G
Cypress Semiconductor Corp

FM28V020-T28G

parte del stock: 7015

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S29PL127J70TFI133
Cypress Semiconductor Corp

S29PL127J70TFI133

parte del stock: 4001

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NOR, Tamaño de la memoria: 128Mb (8M x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 70ns,

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S34ML02G100BHB000
Cypress Semiconductor Corp

S34ML02G100BHB000

parte del stock: 7961

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND, Tamaño de la memoria: 2Gb (256M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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S29GL512P12FFIV12
Cypress Semiconductor Corp

S29GL512P12FFIV12

parte del stock: 3908

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NOR, Tamaño de la memoria: 512Mb (32M x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 120ns,

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S34ML02G100TFV000
Cypress Semiconductor Corp

S34ML02G100TFV000

parte del stock: 7705

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND, Tamaño de la memoria: 2Gb (256M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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S29GL01GP11FFSS80
Cypress Semiconductor Corp

S29GL01GP11FFSS80

parte del stock: 4678

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NOR, Tamaño de la memoria: 1Gb (128M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 110ns,

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S25FL116K0XMFV043
Cypress Semiconductor Corp

S25FL116K0XMFV043

parte del stock: 3386

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NOR, Tamaño de la memoria: 16Mb (2M x 8), Frecuencia de reloj: 108MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 3ms,

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S34MS04G100TFB000
Cypress Semiconductor Corp

S34MS04G100TFB000

parte del stock: 9311

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND, Tamaño de la memoria: 4Gb (512M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 45ns,

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S34ML01G200TFA000
Cypress Semiconductor Corp

S34ML01G200TFA000

parte del stock: 5015

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND, Tamaño de la memoria: 1Gb (128M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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