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Memoria

S40410081B1B2I000
Cypress Semiconductor Corp

S40410081B1B2I000

parte del stock: 7629

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND, Tamaño de la memoria: 8Gb (1G x 8), Frecuencia de reloj: 200MHz,

De deseos
S40410161B1B1W010
Cypress Semiconductor Corp

S40410161B1B1W010

parte del stock: 5446

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND, Tamaño de la memoria: 16Gb (2G x 8), Frecuencia de reloj: 200MHz,

De deseos
S29PL127J60TFI130
Cypress Semiconductor Corp

S29PL127J60TFI130

parte del stock: 7626

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NOR, Tamaño de la memoria: 128Mb (8M x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 60ns,

De deseos
S25FL164K0XBHV020
Cypress Semiconductor Corp

S25FL164K0XBHV020

parte del stock: 4580

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NOR, Tamaño de la memoria: 64Mb (8M x 8), Frecuencia de reloj: 108MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 3ms,

De deseos
S25FL116K0XMFIQ11
Cypress Semiconductor Corp

S25FL116K0XMFIQ11

parte del stock: 7562

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NOR, Tamaño de la memoria: 16Mb (2M x 8), Frecuencia de reloj: 108MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 3ms,

De deseos
S25FL116K0XMFIS13
Cypress Semiconductor Corp

S25FL116K0XMFIS13

parte del stock: 3366

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NOR, Tamaño de la memoria: 16Mb (2M x 8), Frecuencia de reloj: 108MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 3ms,

De deseos
S71KS512SC0BHB000
Cypress Semiconductor Corp

S71KS512SC0BHB000

parte del stock: 7576

De deseos
S70GL02GS11FHI013
Cypress Semiconductor Corp

S70GL02GS11FHI013

parte del stock: 125

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NOR, Tamaño de la memoria: 2Gb (128M x 16),

De deseos
S34ML01G200TFA003
Cypress Semiconductor Corp

S34ML01G200TFA003

parte del stock: 4035

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND, Tamaño de la memoria: 1Gb (128M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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S29PL127J80BFI010
Cypress Semiconductor Corp

S29PL127J80BFI010

parte del stock: 4841

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NOR, Tamaño de la memoria: 128Mb (8M x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 80ns,

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CG7841AAT
Cypress Semiconductor Corp

CG7841AAT

parte del stock: 7885

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S34ML04G200BHA000
Cypress Semiconductor Corp

S34ML04G200BHA000

parte del stock: 5776

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND, Tamaño de la memoria: 4Gb (512M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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S34ML04G100BHV003
Cypress Semiconductor Corp

S34ML04G100BHV003

parte del stock: 4106

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND, Tamaño de la memoria: 4Gb (512M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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CY62167G30-45ZXAT
Cypress Semiconductor Corp

CY62167G30-45ZXAT

parte del stock: 5131

Tipo de memoria: Volatile, Formato de memoria: SRAM, Tecnología: SRAM - Asynchronous, Tamaño de la memoria: 16Mb (1M x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 45ns,

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S70GL02GS11FHI023
Cypress Semiconductor Corp

S70GL02GS11FHI023

parte del stock: 117

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NOR, Tamaño de la memoria: 2Gb (128M x 16),

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S34ML01G200BHV000
Cypress Semiconductor Corp

S34ML01G200BHV000

parte del stock: 4923

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND, Tamaño de la memoria: 1Gb (128M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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S25FL032P0XMFI013
Cypress Semiconductor Corp

S25FL032P0XMFI013

parte del stock: 1485

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NOR, Tamaño de la memoria: 32Mb (4M x 8), Frecuencia de reloj: 104MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5µs, 3ms,

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S25FL064P0XMFV001
Cypress Semiconductor Corp

S25FL064P0XMFV001

parte del stock: 5410

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NOR, Tamaño de la memoria: 64Mb (8M x 8), Frecuencia de reloj: 104MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5µs, 3ms,

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S25FL129P0XNFV001
Cypress Semiconductor Corp

S25FL129P0XNFV001

parte del stock: 5557

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NOR, Tamaño de la memoria: 128Mb (16M x 8), Frecuencia de reloj: 104MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5µs, 3ms,

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CY7C1365CV33-133AXC
Cypress Semiconductor Corp

CY7C1365CV33-133AXC

parte del stock: 5909

Tipo de memoria: Volatile, Formato de memoria: SRAM, Tecnología: SRAM - Synchronous, Tamaño de la memoria: 9Mb (256K x 36), Frecuencia de reloj: 133MHz,

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S34MS04G100TFB003
Cypress Semiconductor Corp

S34MS04G100TFB003

parte del stock: 6842

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND, Tamaño de la memoria: 4Gb (512M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 45ns,

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S34ML16G202TFI200
Cypress Semiconductor Corp

S34ML16G202TFI200

parte del stock: 1995

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND, Tamaño de la memoria: 16Gb (2G x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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S25FL132K0XBHV033
Cypress Semiconductor Corp

S25FL132K0XBHV033

parte del stock: 3627

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NOR, Tamaño de la memoria: 32Mb (4M x 8), Frecuencia de reloj: 108MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 3ms,

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S25FL164K0XMFV001
Cypress Semiconductor Corp

S25FL164K0XMFV001

parte del stock: 5606

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NOR, Tamaño de la memoria: 64Mb (8M x 8), Frecuencia de reloj: 108MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 3ms,

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S25FL129P0XMFI011
Cypress Semiconductor Corp

S25FL129P0XMFI011

parte del stock: 5567

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NOR, Tamaño de la memoria: 128Mb (16M x 8), Frecuencia de reloj: 104MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5µs, 3ms,

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S25FL132K0XMFV040
Cypress Semiconductor Corp

S25FL132K0XMFV040

parte del stock: 4517

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NOR, Tamaño de la memoria: 32Mb (4M x 8), Frecuencia de reloj: 108MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 3ms,

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S70GL02GS12FHIV23
Cypress Semiconductor Corp

S70GL02GS12FHIV23

parte del stock: 110

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NOR, Tamaño de la memoria: 2Gb (128M x 16),

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S40410161B1B1W013
Cypress Semiconductor Corp

S40410161B1B1W013

parte del stock: 6852

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND, Tamaño de la memoria: 16Gb (2G x 8), Frecuencia de reloj: 200MHz,

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S25FL164K0XNFV011
Cypress Semiconductor Corp

S25FL164K0XNFV011

parte del stock: 5657

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NOR, Tamaño de la memoria: 64Mb (8M x 8), Frecuencia de reloj: 108MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 3ms,

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S34MS01G104BHB013
Cypress Semiconductor Corp

S34MS01G104BHB013

parte del stock: 6725

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND, Tamaño de la memoria: 1Gb (64M x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 45ns,

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S29GL256S10WEI029
Cypress Semiconductor Corp

S29GL256S10WEI029

parte del stock: 3245

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NOR, Tamaño de la memoria: 256Mb (16M x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 60ns,

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S29AL008J70WHN019
Cypress Semiconductor Corp

S29AL008J70WHN019

parte del stock: 3117

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NOR, Tamaño de la memoria: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 70ns,

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S25FL129P0XMFV003
Cypress Semiconductor Corp

S25FL129P0XMFV003

parte del stock: 3598

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NOR, Tamaño de la memoria: 128Mb (16M x 8), Frecuencia de reloj: 104MHz, Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 5µs, 3ms,

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S34ML01G200TFB003
Cypress Semiconductor Corp

S34ML01G200TFB003

parte del stock: 4069

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND, Tamaño de la memoria: 1Gb (128M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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S34MS04G204WFI019
Cypress Semiconductor Corp

S34MS04G204WFI019

parte del stock: 3320

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND, Tamaño de la memoria: 4Gb (256M x 16), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 45ns,

De deseos
S34ML04G200BHV003
Cypress Semiconductor Corp

S34ML04G200BHV003

parte del stock: 6677

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND, Tamaño de la memoria: 4Gb (512M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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