Transistores - Bipolar (BJT) - Sencillo | Productos semiconductores discretos | 100

2SC2229-Y(T6ONK1FM

parte del stock: 6992

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 50mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 150V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Para su lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SHP1,F,M

parte del stock: 6990

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 50mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 150V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Para su lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SAN2,F,M

parte del stock: 7022

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 50mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 150V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SHP,F,M)

parte del stock: 7021

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 50mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 150V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Para su lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(MIT,F,M)

parte del stock: 6703

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 50mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 150V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(MIT1,F,M

parte del stock: 6975

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 50mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 150V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6SHP1FM

parte del stock: 7020

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 50mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 150V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(TE6,F,M)

parte del stock: 7022

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 50mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 150V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6SAN2FM

parte del stock: 6954

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 50mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 150V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6MIT1FM

parte del stock: 6948

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 50mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 150V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(SHP1,F,M

parte del stock: 6990

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 50mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 150V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(SHP,F,M)

parte del stock: 6947

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 50mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 150V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(MITIF,M)

parte del stock: 7035

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 50mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 150V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(MIT1F,M)

parte del stock: 7005

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 50mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 150V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229(TE6SAN1F,M

parte del stock: 6999

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 50mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 150V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC1627A-O,PASF(M

parte del stock: 7004

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 400mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 80V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200A, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V,

Para su lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC1627A-Y,PASF(M

parte del stock: 6754

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 400mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 80V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200A, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1495,Q(M

parte del stock: 6942

Tipo de transistor: PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 3A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 100V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1495,Q(J

parte del stock: 6995

Tipo de transistor: PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 3A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 100V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457,T6YMEF(M

parte del stock: 7000

Tipo de transistor: PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 2A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 100V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1481(TOJS,Q,M)

parte del stock: 6996

Tipo de transistor: PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 4A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 100V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 6mA, 3A, Corriente: corte del colector (máx.): 2µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457,T6TOTOF(J

parte del stock: 6949

Tipo de transistor: PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 2A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 100V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Para su lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(TE6,F,M)

parte del stock: 6958

Tipo de transistor: PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 2A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 100V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Para su lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(T6CNO,A,F)

parte del stock: 6947

Tipo de transistor: PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 2A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 100V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Para su lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1375,CLARIONF(M

parte del stock: 6980

Tipo de transistor: PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 3A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 2A, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Para su lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(T6CANO,F,M

parte del stock: 7012

Tipo de transistor: PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 2A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 100V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Para su lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,T6KOJPF(J

parte del stock: 6968

Tipo de transistor: PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Para su lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,T6F(J

parte del stock: 7012

Tipo de transistor: PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Para su lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,SWFF(M

parte del stock: 6956

Tipo de transistor: PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Para su lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,F(J

parte del stock: 6980

Tipo de transistor: PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Para su lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y(T6CANO,FM

parte del stock: 6968

Tipo de transistor: PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Para su lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y(F,M)

parte del stock: 7009

Tipo de transistor: PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Para su lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O,F(J

parte del stock: 6956

Tipo de transistor: PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Para su lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,ONK-1F(M

parte del stock: 6969

Tipo de transistor: PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 50mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 150V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Para su lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O(TE6,F,M)

parte del stock: 7016

Tipo de transistor: PNP, Corriente - Colector (Ic) (Max): 800mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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ON Semiconductor

2SC6017-E

parte del stock: 111005

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 10A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V,

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