Transistores - Bipolar (BJT) - Sencillo | Productos semiconductores discretos | 100

2SD2257,KEHINQ(J

parte del stock: 6789

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 3A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 100V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Para su lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257(CANO,A,Q)

parte del stock: 6792

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 3A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 100V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Para su lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257(CANO,Q,M)

parte del stock: 6778

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 3A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 100V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Para su lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206A(T6SEP,F,M

parte del stock: 6989

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 2A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Para su lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206,T6F(J

parte del stock: 7064

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 2A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 100V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(TE6,F,M)

parte del stock: 7008

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 2A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 100V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(T6CNO,A,F)

parte del stock: 7045

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 2A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 100V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(T6CANO,F,M

parte del stock: 7037

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 2A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 100V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Corriente: corte del colector (máx.): 10µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2129,ALPSQ(M

parte del stock: 7039

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 3A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 100V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Corriente: corte del colector (máx.): 100µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 3V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2129,LS4ALPSQ(M

parte del stock: 7003

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 3A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 100V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Corriente: corte del colector (máx.): 100µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 3V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6042,T2WNLQ(J

parte del stock: 7001

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 1A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 375V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6139,T2F(M

parte del stock: 6717

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 1.5A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 160V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100nA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6040,T2Q(J

parte del stock: 7021

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 1A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 800V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6042,T2HOSH1Q(J

parte del stock: 7019

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 1A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 375V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6010(T2MITUM,FM

parte del stock: 6714

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 1A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 600V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6040(TPF2,Q,M)

parte del stock: 7015

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 1A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 800V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5930(TPF2,F,M)

parte del stock: 6994

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 1A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 600V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5930(T2MITUM,FM

parte del stock: 6971

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 1A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 600V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA, Corriente: corte del colector (máx.): 100µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,T6F(J

parte del stock: 6716

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 50mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 600V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Corriente: corte del colector (máx.): 1µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,T6MURAF(J

parte del stock: 7019

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 50mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 600V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Corriente: corte del colector (máx.): 1µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,F(J

parte del stock: 6724

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 50mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 600V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Corriente: corte del colector (máx.): 1µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201(TE6,F,M)

parte del stock: 6968

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 50mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 600V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Corriente: corte del colector (máx.): 1µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5172(YAZK,Q,M)

parte del stock: 7006

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 5A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 400V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 2A, Corriente: corte del colector (máx.): 20µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201(T6MURATAFM

parte del stock: 7026

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 50mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 600V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Corriente: corte del colector (máx.): 1µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171,Q(J

parte del stock: 6967

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 2A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 180V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Corriente: corte del colector (máx.): 5µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Para su lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171,ONKQ(J

parte del stock: 6979

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 2A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 180V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Corriente: corte del colector (máx.): 5µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Para su lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171(ONK,Q,M)

parte del stock: 6992

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 2A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 180V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Corriente: corte del colector (máx.): 5µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Para su lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171,MATUDQ(J

parte del stock: 7059

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 2A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 180V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Corriente: corte del colector (máx.): 5µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Para su lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171(LBS2MATQ,M

parte del stock: 6988

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 2A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 180V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Corriente: corte del colector (máx.): 5µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Para su lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4935-Y,Q(J

parte del stock: 7005

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 3A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Corriente: corte del colector (máx.): 1µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Para su lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4881,LS1SUMIF(M

parte del stock: 6962

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 5A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 400mV @ 125mA, 2.5A, Corriente: corte del colector (máx.): 1µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Para su lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,YHF(M

parte del stock: 7032

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 1A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 230V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 1µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Para su lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4881(CANO,F,M)

parte del stock: 7001

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 5A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 400mV @ 125mA, 2.5A, Corriente: corte del colector (máx.): 1µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,NSEIKIF(J

parte del stock: 7000

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 1A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 230V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 1µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Para su lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,TOA1F(J

parte del stock: 7001

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 1A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 230V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 1µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,HFEF(M

parte del stock: 6995

Tipo de transistor: NPN, Corriente - Colector (Ic) (Max): 1A, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 230V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Corriente: corte del colector (máx.): 1µA (ICBO), Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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