Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 30V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuración impulsada: High-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 4, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 16.5V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: High-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 4, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 16.5V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4V ~ 14V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.1V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: 3-Phase, Número de conductores: 6, Tipo de puerta: IGBT, N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 10V ~ 20V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: 3-Phase, Número de conductores: 6, Tipo de puerta: IGBT, N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 10V ~ 20V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: Synchronous, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: IGBT, N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 10V ~ 20V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 5V ~ 40V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Single, Número de conductores: 1, Tipo de puerta: IGBT, N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.7V ~ 18V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 3.5V ~ 14V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: Synchronous, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.3V ~ 6.8V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 9V ~ 14V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 2.3V, -,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 15V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 1V, 2V,
Configuración impulsada: High-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 4, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 5.5V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: Synchronous, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 15V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 1V, 2V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4V ~ 15V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 1V, 2V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Synchronous, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4V ~ 14V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 1V, 4V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: IGBT, N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 18V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 1V, 2.3V,
Configuración impulsada: High-Side, Tipo de canal: Single, Número de conductores: 1, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 3.5V ~ 135V,
Configuración impulsada: High-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 18V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Single, Número de conductores: 1, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 5V ~ 25V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 1.8V, 2V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: Synchronous, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 6V ~ 9.5V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 6.5V ~ 18V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.6V,
Configuración impulsada: High-Side or Low-Side, Tipo de canal: Single, Número de conductores: 1, Tipo de puerta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4V ~ 6V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 4, Tipo de puerta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 18V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 18V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: High-Side or Low-Side, Tipo de canal: Single, Número de conductores: 1, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.75V ~ 32V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 2V, 4.5V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 18V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 18V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 18V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 18V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 9V ~ 14V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 3.7V, 7.4V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 16V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 1.22V, 2.08V,
Configuración impulsada: High-Side or Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 4, Tipo de puerta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 18V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 18V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: Synchronous, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: IGBT, N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 10V ~ 20V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,