Configuración impulsada: High-Side or Low-Side, Tipo de canal: Single, Número de conductores: 1, Tipo de puerta: IGBT, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 16.5V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: Synchronous, Número de conductores: 4, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 10.8V ~ 13.2V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: Synchronous, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 10.8V ~ 13.2V,
Configuración impulsada: High-Side, Tipo de canal: 3-Phase, Número de conductores: 3, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 7V ~ 15V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 1V, 2.5V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: Synchronous, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4V ~ 7V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.25V, 2.4V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 5V ~ 40V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Single, Número de conductores: 1, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 5V ~ 40V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 18V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 4, Tipo de puerta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 18V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Single, Número de conductores: 1, Tipo de puerta: IGBT, N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 18V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: High-Side or Low-Side, Tipo de canal: Single, Número de conductores: 1, Tipo de puerta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 30V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: High-Side or Low-Side, Tipo de canal: Single, Número de conductores: 1, Tipo de puerta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4V ~ 6V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: 3-Phase, Número de conductores: 6, Tipo de puerta: IGBT, N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 10V ~ 20V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: IGBT, N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 10V ~ 20V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: 3-Phase, Número de conductores: 6, Tipo de puerta: IGBT, N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 10V ~ 20V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: 3-Phase, Número de conductores: 6, Tipo de puerta: IGBT, N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 11.5V ~ 20V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: 3-Phase, Número de conductores: 6, Tipo de puerta: IGBT, N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 10V ~ 20V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: IGBT, N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 10V ~ 20V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: 3-Phase, Número de conductores: 6, Tipo de puerta: IGBT, N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 11.5V ~ 20V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: 3-Phase, Número de conductores: 6, Tipo de puerta: IGBT, N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 10V ~ 20V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: Synchronous, Número de conductores: 4, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 10V ~ 15.6V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 4.7V, 9.3V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: Synchronous, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: IGBT, N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 10V ~ 20V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: IGBT, N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 10V ~ 20V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 6, Tipo de puerta: IGBT, N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 10V ~ 20V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: IGBT, N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 10V ~ 20V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 6V, 9.5V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: 3-Phase, Número de conductores: 6, Tipo de puerta: IGBT, N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 11.5V ~ 20V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 18V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 18V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 18V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: High-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 3, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 1.8V ~ 6V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Synchronous, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 11V,
Configuración impulsada: High-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 3, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 1.8V ~ 6V,
Configuración impulsada: High-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 4, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 8V ~ 48V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Configuración impulsada: High-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 4, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 8V ~ 48V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Configuración impulsada: High-Side, Tipo de canal: Single, Número de conductores: 1, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 60V (Max),
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: IGBT, N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 10V ~ 35V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 6V, 9.6V,
