Transistores - FET, MOSFET - Matrices

SP8K2TB

parte del stock: 195188

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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SH8K15TB1

parte del stock: 137046

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 9A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Para su lista

QS8K11TCR

parte del stock: 198738

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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US6M1TR

parte del stock: 141982

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.4A, 1A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Para su lista

SH8M13GZETB

parte del stock: 173570

Tipo de FET: N and P-Channel, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6A, 7A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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SI1965DH-T1-GE3

parte del stock: 150223

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 12V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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SI1016X-T1-GE3

parte del stock: 135127

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 485mA, 370mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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SI6926ADQ-T1-E3

parte del stock: 129467

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.1A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Para su lista

SI1023CX-T1-GE3

parte del stock: 136072

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 756 mOhm @ 350mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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SQ3989EV-T1_GE3

parte del stock: 124228

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.5A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 400mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Para su lista

SI4670DY-T1-GE3

parte del stock: 139899

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Para su lista

SIZ300DT-T1-GE3

parte del stock: 146800

Tipo de FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 11A, 28A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 9.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Para su lista

SI7540ADP-T1-GE3

parte del stock: 87195

Tipo de FET: N and P-Channel, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12A, 9A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

Para su lista

SI4943CDY-T1-E3

parte del stock: 89694

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 19.2 mOhm @ 8.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Para su lista

SQJ992EP-T1_GE3

parte del stock: 130455

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 15A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 56.2 mOhm @ 3.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Para su lista

SQJ570EP-T1_GE3

parte del stock: 165202

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 15A (Tc), 9.5A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 6A, 10V, 146 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Para su lista

SI5902BDC-T1-GE3

parte del stock: 125173

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Para su lista

Taiwan Semiconductor Corporation

SQ1539EH-T1_GE3

parte del stock: 2491

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 850mA (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 1A, 10V, 940 mOhm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA,

Para su lista

Diodes Incorporated

DMN67D8LDW-13

parte del stock: 104906

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 230mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Para su lista

Diodes Incorporated

DMN2005DLP4K-7

parte del stock: 162696

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 300mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA,

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Texas Instruments

CSD85302L

parte del stock: 146505

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Característica FET: Standard,

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Texas Instruments

CSD86360Q5D

parte del stock: 67326

Tipo de FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 50A, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

Para su lista

TSM200N03DPQ33 RGG

parte del stock: 2506

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 20A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Para su lista

FDMA1023PZ

parte del stock: 100824

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.7A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Para su lista

FDS8958B

parte del stock: 194401

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6.4A, 4.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Para su lista

NVMFD5485NLT3G

parte del stock: 94178

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5.3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Para su lista

NTJD4158CT1G

parte del stock: 159746

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 250mA, 880mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA,

Para su lista

EFC6612R-TF

parte del stock: 157184

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Característica FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

Para su lista

IRF7105TRPBF

parte del stock: 196914

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, 2.3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Para su lista

IPG16N10S4L61AATMA1

parte del stock: 195154

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 16A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 90µA,

Para su lista

IPG20N06S4L14ATMA2

parte del stock: 126778

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 20A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 13.7 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA,

Para su lista