Transistores - FET, MOSFET - Matrices

NVMFD5873NLT1G

parte del stock: 73807

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 10A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Para su lista

FDS9958-F085

parte del stock: 26954

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.9A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Para su lista

FDS8858CZ

parte del stock: 153147

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8.6A, 7.3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 8.6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Para su lista

ECH8660-TL-H

parte del stock: 177854

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 2A, 10V,

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IRF7905TRPBF

parte del stock: 187870

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7.8A, 8.9A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 21.8 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA,

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IPG20N06S2L50AATMA1

parte del stock: 140292

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 20A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 19µA,

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IRF9358TRPBF

parte del stock: 160762

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 9.2A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 16.3 mOhm @ 9.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA,

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IPG16N10S461ATMA1

parte del stock: 100256

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 16A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA,

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IRFHM8363TRPBF

parte del stock: 191314

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 11A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 14.9 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA,

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IPG20N04S4L11AATMA1

parte del stock: 165940

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 20A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 11.6 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA,

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STMicroelectronics

STS1DNC45

parte del stock: 85375

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 450V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 400mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA,

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STMicroelectronics

STS8DNF3LL

parte del stock: 136676

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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SIA922EDJ-T1-GE3

parte del stock: 104410

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

Para su lista

SI9926CDY-T1-E3

parte del stock: 125202

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Para su lista

SQJ974EP-T1_GE3

parte del stock: 141603

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 30A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 25.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Para su lista

SI5504BDC-T1-GE3

parte del stock: 163985

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4A, 3.7A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Para su lista

SI7288DP-T1-GE3

parte del stock: 108168

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 20A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA,

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SI7900AEDN-T1-E3

parte del stock: 97121

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 8.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

Para su lista

SI4214DDY-T1-GE3

parte del stock: 102448

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Para su lista

SI5935CDC-T1-GE3

parte del stock: 154777

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Para su lista

SI5936DU-T1-GE3

parte del stock: 193614

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Para su lista

SI1025X-T1-GE3

parte del stock: 121434

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 190mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

PMCXB1000UEZ

parte del stock: 169010

Tipo de FET: N and P-Channel Complementary, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 590mA (Ta), 410mA (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 670 mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4 Ohm @ 410mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA,

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SH8M24TB1

parte del stock: 112720

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 45V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A, 3.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Para su lista

UM6J1NTN

parte del stock: 145064

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 200mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 200mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Para su lista

QS8J13TR

parte del stock: 157844

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 12V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

Para su lista

SH8M11TB1

parte del stock: 138257

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Para su lista

EM6K34T2CR

parte del stock: 122186

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, 0.9V Drive, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 50V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 200mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA,

Para su lista

ZDM4306NTA

parte del stock: 2658

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA,

Para su lista

DMC1018UPD-13

parte del stock: 180420

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 12V, 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 9.5A, 6.9A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Para su lista

ZXMD63P02XTA

parte del stock: 110973

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min),

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