Transistores - FET, MOSFET - Matrices | Productos semiconductores discretos | 100

STC5NF20V

parte del stock: 3322

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI6924AEDQ-T1-E3

parte del stock: 2801

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 28V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.1A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI7901EDN-T1-GE3

parte del stock: 2866

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 6.3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 800µA,

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Vishay Siliconix

SI7234DP-T1-GE3

parte del stock: 47223

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 12V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 60A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 20A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Para su lista

Vishay Siliconix

SI7980DP-T1-GE3

parte del stock: 96693

Tipo de FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Para su lista

Vishay Siliconix

SI1026X-T1-E3

parte del stock: 2694

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 305mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI1551DL-T1-GE3

parte del stock: 2873

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 290mA, 410mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 290mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI7872DP-T1-GE3

parte del stock: 71532

Tipo de FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6.4A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI7980DP-T1-E3

parte del stock: 2862

Tipo de FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4539ADY-T1-E3

parte del stock: 2626

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.4A, 3.7A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

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Vishay Siliconix

SI4923DY-T1-E3

parte del stock: 2886

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6.2A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4910DY-T1-E3

parte del stock: 2756

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7.6A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI3993DV-T1-E3

parte del stock: 198401

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.8A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 133 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Rohm Semiconductor

SH8M70TB1

parte del stock: 2793

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 250V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3A, 2.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.63 Ohm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8M4FU6TB

parte del stock: 74678

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 9A, 7A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8M8FU6TB

parte del stock: 119511

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6A, 4.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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ON Semiconductor

ECH8619-TL-E

parte del stock: 2845

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3A, 2A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 93 mOhm @ 1.5A, 10V,

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ON Semiconductor

FDZ2554P

parte del stock: 2769

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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ON Semiconductor

FDW2501NZ

parte del stock: 2739

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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ON Semiconductor

FDJ1032C

parte del stock: 2679

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.2A, 2.8A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Para su lista

ON Semiconductor

NTQD6968R2

parte del stock: 2684

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6.6A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Para su lista

ON Semiconductor

FDW2512NZ

parte del stock: 2739

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Para su lista

ON Semiconductor

MCH6602-TL-E

parte del stock: 191190

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 350mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

Para su lista

ON Semiconductor

FDS6898A_NF40

parte del stock: 2814

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 9.4A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Para su lista

ON Semiconductor

NDS8852H

parte del stock: 2661

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.3A, 3.4A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA,

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ON Semiconductor

FW811-TL-E

parte del stock: 3294

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 35V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA,

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NXP USA Inc.

PMDPB28UN,115

parte del stock: 3299

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.6A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Para su lista

NXP USA Inc.

PMDPB95XNE,115

parte del stock: 2864

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.4A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Para su lista

Nexperia USA Inc.

PHN203,518

parte del stock: 155067

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6.3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,

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Panasonic Electronic Components

XP0187800L

parte del stock: 2685

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 50V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 100mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA,

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IXYS

IXTL2X240N055T

parte del stock: 2780

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 140A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 50A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

Para su lista

IXYS

GWM220-004P3-SMD

parte del stock: 2843

Tipo de FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 180A, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

Para su lista

EPC

EPC2100ENG

parte del stock: 2900

Tipo de FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Característica FET: GaNFET (Gallium Nitride), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 10A (Ta), 40A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA,

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Infineon Technologies

IPG15N06S3L-45

parte del stock: 2793

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 15A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA,

Para su lista

Infineon Technologies

IRFH4257DTRPBF

parte del stock: 2942

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 25A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA,

Para su lista

Infineon Technologies

IRF7304QTRPBF

parte del stock: 2807

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA,

Para su lista