Transistores - FET, MOSFET - Matrices

NTHD4502NT1G

parte del stock: 147583

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.2A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

NVMFD5C466NLWFT1G

parte del stock: 251

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 14A (Ta), 52A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA,

FDS4953

parte del stock: 2994

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

NVMFD5489NLT1G

parte del stock: 91710

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

NDS8936

parte del stock: 3130

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5.3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA,

FDMC8030

parte del stock: 182984

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA,

SQJ500EP

parte del stock: 2995

FDMB2308PZ

parte del stock: 98641

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual) Common Drain, Característica FET: Logic Level Gate, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 5.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDMA2002NZ_F130

parte del stock: 3353

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.9A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 123 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

EMH2418R-TL-H

parte del stock: 147303

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Característica FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 24V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 9A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA,

GMM3X100-01X1-SMD

parte del stock: 3671

Tipo de FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 90A, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA,

CSD87351ZQ5D

parte del stock: 82239

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 32A, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

CSD87334Q3DT

parte del stock: 56420

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 12A, 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

CSD88537NDT

parte del stock: 78894

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 15A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA,

GWS9293

parte del stock: 3370

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 9.4A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA,

DMPH6050SPD-13

parte del stock: 156193

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 26A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

DMC3025LSDQ-13

parte del stock: 10850

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6.5A (Ta), 4.2A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7.4A, 10V, 45 mOhm @ 5.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

DMC2400UV-13

parte del stock: 156715

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.03A, 700mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

DMN3016LDN-13

parte del stock: 103259

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 9.2A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

DMTH4011SPD-13

parte del stock: 10768

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 11.1A (Ta), 42A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

DMN3012LFG-13

parte del stock: 283

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 20A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 15A, 5V, 6 mOhm @ 15A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA,

DMNH6022SSDQ-13

parte del stock: 158541

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7.1A, 22.6A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

DMN66D0LDW-7

parte del stock: 193621

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 115mA (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 115mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

SI1034X-T1-GE3

parte del stock: 127515

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 180mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

SI3981DV-T1-E3

parte del stock: 3003

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.6A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 1.9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

SQJ910AEP-T1_GE3

parte del stock: 9943

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 30A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SI7501DN-T1-E3

parte del stock: 3365

Tipo de FET: N and P-Channel, Common Drain, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5.4A, 4.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 7.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

SIZ980DT-T1-GE3

parte del stock: 16202

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Schottky, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 20A (Tc), 60A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 15A, 10V, 1.6 mOhm @ 19A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

SI4909DY-T1-GE3

parte del stock: 158525

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SI4925BDY-T1-GE3

parte del stock: 89747

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5.3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

SI8902EDB-T2-E1

parte del stock: 86559

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.9A, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 980µA,

CMLDM7003TG TR

parte del stock: 182584

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 50V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 280mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

IRFI4020H-117P

parte del stock: 21018

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 9.1A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 5.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA,

NX7002AKS/ZLX

parte del stock: 2966

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 170mA (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

PHKD3NQ10T,518

parte del stock: 123444

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

SLA5085

parte del stock: 13470

Tipo de FET: 5 N-Channel, Common Source, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 10A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 3A, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,