Transistores - FET, MOSFET - Matrices

FDD3510H

parte del stock: 147680

Tipo de FET: N and P-Channel, Common Drain, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 80V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.3A, 2.8A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

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FDS6900AS

parte del stock: 159056

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6.9A, 8.2A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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FDS6898A

parte del stock: 128074

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 9.4A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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FDMB3900AN

parte del stock: 118545

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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FDS6875

parte del stock: 133470

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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MCH6663-TL-W

parte del stock: 154760

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, 4V Drive, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.8A, 1.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 188 mOhm @ 900mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA,

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FDS6912A

parte del stock: 171009

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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FDMD86100

parte del stock: 131

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 10A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

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NTLLD4951NFTWG

parte del stock: 61646

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5.5A, 6.3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 17.4 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

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US6K2TR

parte del stock: 124293

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.4A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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EM6K33T2R

parte del stock: 182538

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 50V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 200mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

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SP8M4FRATB

parte del stock: 91

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 9A (Ta), 7A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V, 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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SP8K31FRATB

parte del stock: 99

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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DMN6070SSD-13

parte del stock: 104685

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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DMTH6016LSD-13

parte del stock: 190248

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7.6A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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DMN2028UFDH-7

parte del stock: 132521

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6.8A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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DMG4822SSD-13

parte del stock: 199433

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 10A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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DMG6898LSD-13

parte del stock: 109166

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 9.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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DMC6040SSD-13

parte del stock: 146822

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5.1A, 3.1A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Para su lista

ZXMHC6A07N8TC

parte del stock: 158542

Tipo de FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.39A, 1.28A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Para su lista

DMG6301UDW-7

parte del stock: 168789

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 240mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Para su lista

DMC3016LDV-13

parte del stock: 172087

Tipo de FET: N and P-Channel Complementary, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 21A (Tc), 15A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 7A, 10V, 25 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

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DMC2990UDJQ-7

parte del stock: 147861

Tipo de FET: N and P-Channel Complementary, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 450mA (Ta), 310mA (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Monolithic Power Systems Inc.

DMNH6042SSD-13

parte del stock: 182552

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 16.7A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Microchip Technology

TC6321T-V/9U

parte del stock: 64633

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V, 8 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, 2.4V @ 1mA,

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LN60A01ES-LF

parte del stock: 77637

Tipo de FET: 3 N-Channel, Common Gate, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 80mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 190 Ohm @ 10mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

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SI7923DN-T1-E3

parte del stock: 101885

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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SI5902BDC-T1-E3

parte del stock: 125159

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Para su lista

SI5908DC-T1-GE3

parte del stock: 118967

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.4A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Para su lista

SIZ904DT-T1-GE3

parte del stock: 140725

Tipo de FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12A, 16A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Para su lista

SI7923DN-T1-GE3

parte del stock: 101842

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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