Transistores - FET, MOSFET - Matrices

NTGD4167CT1G

parte del stock: 114403

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.6A, 1.9A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDMS3664S

parte del stock: 180120

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 13A, 25A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA,

NTJD1155LT1G

parte del stock: 149235

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 8V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

FDMD8560L

parte del stock: 41533

Tipo de FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 22A, 93A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 22A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

EFC4C012NLTDG

parte del stock: 115

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Característica FET: Standard, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA,

NVMFD5C462NLT1G

parte del stock: 139

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 18A (Ta), 84A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA,

FDMS7700S

parte del stock: 61271

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12A, 22A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

ECH8654-TL-H

parte del stock: 186362

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 3A, 4.5V,

SI6975DQ-T1-E3

parte del stock: 56765

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 12V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 5mA (Min),

SI6975DQ-T1-GE3

parte del stock: 89660

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 12V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 5mA (Min),

SI6954ADQ-T1-GE3

parte del stock: 102782

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.1A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

SI7904BDN-T1-GE3

parte del stock: 165688

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

SI4276DY-T1-E3

parte del stock: 139906

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 15.3 mOhm @ 9.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

DMC6070LND-7

parte del stock: 115806

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.1A, 2.4A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

DMHC4035LSD-13

parte del stock: 190231

Tipo de FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A, 3.7A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

DMS3019SSD-13

parte del stock: 162279

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7A, 5.7A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

DMN2022UNS-7

parte del stock: 109123

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 10.7A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 10.8 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

DMN3016LDV-13

parte del stock: 145769

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 21A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

DMP4047SSD-13

parte del stock: 153243

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5.1A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

DMP22D4UDA-7B

parte del stock: 125

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 328mA (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

DMTH6016LSDQ-13

parte del stock: 146385

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7.6A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

DMC4029SSDQ-13

parte del stock: 181

Tipo de FET: N and P-Channel Complementary, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 9A (Ta), 6.5A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6A, 10V, 45 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

DMG4822SSDQ-13

parte del stock: 186

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 10A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

ZXMD63N03XTA

parte del stock: 63691

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 1.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

DMG1026UVQ-7

parte del stock: 165393

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 440mA (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA,

DMG9926USD-13

parte del stock: 131794

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 8.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

DMC3025LDV-13

parte del stock: 182397

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Standard, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 15A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

DMN65D8LDWQ-13

parte del stock: 110709

DMN13M9UCA6-7

parte del stock: 87

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA,

UPA3753GR-E1-AT

parte del stock: 158590

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 2.5A, 10V,

SLA5037

parte del stock: 14765

Tipo de FET: 4 N-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 10A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA,

SLA5096

parte del stock: 27227

Tipo de FET: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8A,

SP8K52FRATB

parte del stock: 115

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

TT8J3TR

parte del stock: 193760

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

MCCD2005-TP

parte del stock: 159326

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

MTM684110LBF

parte del stock: 152523

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 12V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.8A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 1A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,