Transistores - FET, MOSFET - Sencillo | Productos semiconductores discretos | 100

AOL1428

parte del stock: 6066

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12.4A (Ta), 49A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 20A, 10V,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOL1424

parte del stock: 531

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 15A (Ta), 70A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 20A, 10V,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOL1422

parte del stock: 530

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 19A (Ta), 85A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 20A, 10V,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOL1414

parte del stock: 562

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 14A (Ta), 85A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 20A, 10V,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOL1418

parte del stock: 6125

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 15A (Ta), 85A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 20A, 10V,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD496

parte del stock: 562

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 62A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 20A, 10V,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOL1412

parte del stock: 554

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 17A (Ta), 70A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 20A, 10V,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD486A

parte del stock: 528

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 50A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 9.8 mOhm @ 20A, 10V,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD484

parte del stock: 580

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 25A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 20A, 10V,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD456A

parte del stock: 545

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 50A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 30A, 10V,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD472

parte del stock: 604

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 55A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 30A, 10V,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD413

parte del stock: 558

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 24A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 12A, 10V,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD452

parte del stock: 538

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 55A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 30A, 10V,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO7404

parte del stock: 6118

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 1.8V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 1A, 4.5V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD4102

parte del stock: 598

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8A (Ta), 19A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 12A, 10V,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6704

parte del stock: 563

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.6A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 2.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.6A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6701

parte del stock: 528

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.3A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 2.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 2.3A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6408

parte del stock: 6117

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8.8A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 1.8V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.8A, 10V,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4712

parte del stock: 597

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 13A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 11.2A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4714

parte del stock: 527

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 20A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 20A, 10V,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4708

parte del stock: 506

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 15A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 15A, 10V,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4710

parte del stock: 570

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12.7A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 11.8 mOhm @ 12.7A, 10V,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4706

parte del stock: 533

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 16.5A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 16.5A, 10V,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4474

parte del stock: 506

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 13.4A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 13.4A, 10V,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4447

parte del stock: 535

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 15A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 15A, 10V,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4456

parte del stock: 577

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 20A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 20A, 10V,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4440

parte del stock: 597

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 5A, 10V,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4438

parte del stock: 585

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8.2A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 8.2A, 10V,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4433

parte del stock: 597

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 11A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 20V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 11A, 20V,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4437

parte del stock: 525

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 12V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 11A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 1.8V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 11A, 4.5V,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOT404

parte del stock: 533

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 105V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 40A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 6V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 20A, 10V,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOT462

parte del stock: 559

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 70A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 30A, 10V,

Para su lista

Microsemi Corporation

APT9M100B

parte del stock: 13855

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1000V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 9A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 5A, 10V,

Para su lista

Microsemi Corporation

APT8M80K

parte del stock: 345

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 800V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.35 Ohm @ 4A, 10V,

Para su lista

Microsemi Corporation

APT8024LLLG

parte del stock: 332

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 800V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 31A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 15.5A, 10V,

Para su lista

Microsemi Corporation

APT8024JLL

parte del stock: 6119

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 800V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 29A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 14.5A, 10V,

Para su lista