Transistores - FET, MOSFET - Sencillo | Productos semiconductores discretos | 100

AUIRF8739L2TR

parte del stock: 25625

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 57A (Ta), 545A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 0.6 mOhm @ 195A, 10V,

Para su lista

Infineon Technologies

AUIRF7749L2TR

parte del stock: 23771

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 36A (Ta), 345A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 120A, 10V,

Para su lista

Infineon Technologies

AUXAKF1405ZS-7P

parte del stock: 554

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 120A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 88A, 10V,

Para su lista

Microsemi Corporation

APTM50UM25SG

parte del stock: 542

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 149A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 74.5A, 10V,

Para su lista

Microsemi Corporation

APTM50SKM38TG

parte del stock: 622

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 90A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V,

Para su lista

Microsemi Corporation

APTM50DAM38TG

parte del stock: 524

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 90A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V,

Para su lista

Microsemi Corporation

APTM50DAM35TG

parte del stock: 550

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 99A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V,

Para su lista

Microsemi Corporation

APTM20UM05SG

parte del stock: 570

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 317A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 158.5A, 10V,

Para su lista

Microsemi Corporation

APTM20UM09SG

parte del stock: 590

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 195A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 74.5A, 10V,

Para su lista

Microsemi Corporation

APTM20SKM10TG

parte del stock: 553

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 175A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V,

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Microsemi Corporation

APTM20SKM05G

parte del stock: 621

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 317A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 158.5A, 10V,

Para su lista

Microsemi Corporation

APTM120UM95FAG

parte del stock: 554

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 103A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 114 mOhm @ 51.5A, 10V,

Para su lista

Microsemi Corporation

APTM20DAM10TG

parte del stock: 543

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 175A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V,

Para su lista

Microsemi Corporation

APTM120U10DAG

parte del stock: 6131

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 160A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 58A, 10V,

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Microsemi Corporation

APTM120SK68T1G

parte del stock: 555

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 15A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 816 mOhm @ 12A, 10V,

Para su lista

Microsemi Corporation

APTM120SK56T1G

parte del stock: 612

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 18A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 672 mOhm @ 14A, 10V,

Para su lista

Microsemi Corporation

APTM120SK15G

parte del stock: 600

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 60A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 30A, 10V,

Para su lista

Microsemi Corporation

APTM120SK29TG

parte del stock: 565

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 34A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V,

Para su lista

Microsemi Corporation

APTM120DA56T1G

parte del stock: 597

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 18A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 672 mOhm @ 14A, 10V,

Para su lista

Microsemi Corporation

APTM120DA68T1G

parte del stock: 609

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 15A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 816 mOhm @ 12A, 10V,

Para su lista

Microsemi Corporation

APTM120DA15G

parte del stock: 523

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 60A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 30A, 10V,

Para su lista

Microsemi Corporation

APTM120DA29TG

parte del stock: 540

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 34A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V,

Para su lista

Microsemi Corporation

APTM100SKM90G

parte del stock: 544

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1000V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 78A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 39A, 10V,

Para su lista

Microsemi Corporation

APTM100U13SG

parte del stock: 6113

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1000V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 65A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 32.5A, 10V,

Para su lista

Microsemi Corporation

APTM100SK18TG

parte del stock: 570

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1000V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 43A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 21.5A, 10V,

Para su lista

Microsemi Corporation

APTM100DA40T1G

parte del stock: 562

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1000V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 20A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 16A, 10V,

Para su lista

Microsemi Corporation

APTM100DA18T1G

parte del stock: 6076

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1000V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 40A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 216 mOhm @ 33A, 10V,

Para su lista

Microsemi Corporation

APTC80SK15T1G

parte del stock: 590

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 800V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 28A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V,

Para su lista

Microsemi Corporation

APTC60SKM35T1G

parte del stock: 591

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 72A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V,

Para su lista

Microsemi Corporation

APTC60DAM24T1G

parte del stock: 558

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 95A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7700

parte del stock: 533

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 16A (Ta), 40A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 12A, 10V,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7400

parte del stock: 596

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 10A (Ta), 26A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 10A, 10V,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOL1702

parte del stock: 581

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 14A (Ta), 70A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 20A, 10V,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOL1700

parte del stock: 511

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 17A (Ta), 85A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 20A, 10V,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOL1432

parte del stock: 590

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12A (Ta), 44A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 30A, 10V,

Para su lista

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOL1426

parte del stock: 574

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 10A (Ta), 46A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 20A, 10V,

Para su lista