Tipo | Descripción |
Estado de la pieza | Active |
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Tipo de FET | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
Característica FET | Standard |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100V |
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1A, 800mA |
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 2.9nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 138pF @ 60V |
Potencia - Max | 1.3W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Estuche | SOT-223-8 |
Paquete de dispositivos del proveedor | SM8 |
Estado de rohs | RoHS |
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Nivel de sensibilidad de la humedad (MSL) | No aplica |
Estado del ciclo de vida | Obsoleto / final de la vida |
Categoría de stock | Stock disponible |