Tipo | Descripción |
Estado de la pieza | Active |
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Tipo de FET | N and P-Channel |
Característica FET | Logic Level Gate |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30V |
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.9A, 2.1A |
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 3.9nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 25V |
Potencia - Max | 1.7W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Estuche | 8-WDFN Exposed Pad |
Paquete de dispositivos del proveedor | 8-DFN (3x2) |
Estado de rohs | RoHS |
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Nivel de sensibilidad de la humedad (MSL) | No aplica |
Estado del ciclo de vida | Obsoleto / final de la vida |
Categoría de stock | Stock disponible |