Tipo | Descripción |
Estado de la pieza | Obsolete |
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Tipo de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Característica FET | Standard |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | - |
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 200µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 685pF @ 10V |
Potencia - Max | 500mW |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Estuche | 4-XFLGA |
Paquete de dispositivos del proveedor | 4-Chip LGA (1.59x1.59) |
Estado de rohs | RoHS |
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Nivel de sensibilidad de la humedad (MSL) | No aplica |
Estado del ciclo de vida | Obsoleto / final de la vida |
Categoría de stock | Stock disponible |