Tipo | Descripción |
Estado de la pieza | Active |
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Tipo de FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30V |
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 10A (Ta) |
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido) | 4.5V, 10V |
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3350pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de energía (máx.) | 2.7W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivos del proveedor | 8-SO |
Paquete / Estuche | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Estado de rohs | RoHS |
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Nivel de sensibilidad de la humedad (MSL) | No aplica |
Estado del ciclo de vida | Obsoleto / final de la vida |
Categoría de stock | Stock disponible |