Tipo | Descripción |
Estado de la pieza | Obsolete |
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Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650V |
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8.5A (Tc) |
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido) | 10V |
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 430 mOhm @ 4.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±25V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de energía (máx.) | 70W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete de dispositivos del proveedor | I2PAK |
Paquete / Estuche | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Estado de rohs | RoHS |
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Nivel de sensibilidad de la humedad (MSL) | No aplica |
Estado del ciclo de vida | Obsoleto / final de la vida |
Categoría de stock | Stock disponible |