Tipo | Descripción |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
---|---|
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 600V |
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4A (Tc) |
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido) | 10V |
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 510pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de energía (máx.) | 70W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivos del proveedor | DPAK |
Paquete / Estuche | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Estado de rohs | RoHS |
---|---|
Nivel de sensibilidad de la humedad (MSL) | No aplica |
Estado del ciclo de vida | Obsoleto / final de la vida |
Categoría de stock | Stock disponible |