| Tipo | Descripción |
| Estado de la pieza | Active |
|---|---|
| Tipo de FET | N and P-Channel |
| Característica FET | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 180mA, 100mA |
| Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 50mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9.5pF @ 3V |
| Potencia - Max | 200mW |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Estuche | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Paquete de dispositivos del proveedor | US6 |
| Estado de rohs | RoHS |
|---|---|
| Nivel de sensibilidad de la humedad (MSL) | No aplica |
| Estado del ciclo de vida | Obsoleto / final de la vida |
| Categoría de stock | Stock disponible |
