Tipo | Descripción |
Estado de la pieza | Active |
---|---|
Tipo de FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30V |
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100mA (Ta) |
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido) | 2.5V, 4V |
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 12 Ohm @ 10mA, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.7V @ 100µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9.1pF @ 3V |
Característica FET | - |
Disipación de energía (máx.) | 150mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivos del proveedor | VESM |
Paquete / Estuche | SOT-723 |
Estado de rohs | RoHS |
---|---|
Nivel de sensibilidad de la humedad (MSL) | No aplica |
Estado del ciclo de vida | Obsoleto / final de la vida |
Categoría de stock | Stock disponible |