Tipo | Descripción |
Estado de la pieza | Obsolete |
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Tipo de FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60V |
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 30A (Tc) |
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido) | 10V |
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 21.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1.7mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1535pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de energía (máx.) | 125W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete de dispositivos del proveedor | PG-TO251-3 |
Paquete / Estuche | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Estado de rohs | RoHS |
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Nivel de sensibilidad de la humedad (MSL) | No aplica |
Estado del ciclo de vida | Obsoleto / final de la vida |
Categoría de stock | Stock disponible |