SIHB12N60E-GE3

SIHB12N60E-GE3

Modelos EDA / CAD:
SIHB12N60E-GE3 Huella y símbolo de PCB
Recurso de stock:
Exceso de fábrica de stock / distribuidor franquiciado
Garantía:
Garantía de 1 año endezo
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 12A TO263 More info
Datasheet:
SKU: #2058723c-a15d-9751-131f-e47869faf836

Cuota:  

Atributos del producto

Tipo Descripción
Estado de la pieza
Tipo de FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs
Vgs (th) (Max) @ Id
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
Característica FET
Disipación de energía (máx.)
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete de dispositivos del proveedor
Paquete / Estuche

Clasificaciones ambientales y de exportación.

Estado de rohs RoHS
Nivel de sensibilidad de la humedad (MSL) No aplica
Estado del ciclo de vida Obsoleto / final de la vida
Categoría de stock Stock disponible

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