Tipo | Descripción |
Estado de la pieza | Active |
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Tipo de FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20V |
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.5A (Tc) |
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido) | 1.8V, 4.5V |
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 94 mOhm @ 2.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 8V |
Vgs (máx.) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 355pF @ 10V |
Característica FET | Schottky Diode (Isolated) |
Disipación de energía (máx.) | 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivos del proveedor | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Paquete / Estuche | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Estado de rohs | RoHS |
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Nivel de sensibilidad de la humedad (MSL) | No aplica |
Estado del ciclo de vida | Obsoleto / final de la vida |
Categoría de stock | Stock disponible |