Tipo | Descripción |
Estado de la pieza | Obsolete |
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Tipo de FET | N and P-Channel |
Característica FET | Logic Level Gate |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20V |
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.5A, 570mA |
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potencia - Max | 830mW, 83mW |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Estuche | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paquete de dispositivos del proveedor | 6-TSOP |
Estado de rohs | RoHS |
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Nivel de sensibilidad de la humedad (MSL) | No aplica |
Estado del ciclo de vida | Obsoleto / final de la vida |
Categoría de stock | Stock disponible |