Tipo | Descripción |
Estado de la pieza | Active |
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Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200V |
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 14A (Tc) |
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido) | 18V |
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 364 mOhm @ 4A, 18V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1.4mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 18V |
Vgs (máx.) | +22V, -6V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 667pF @ 800V |
Característica FET | - |
Disipación de energía (máx.) | 108W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete de dispositivos del proveedor | TO-247 |
Paquete / Estuche | TO-247-3 |
Estado de rohs | RoHS |
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Nivel de sensibilidad de la humedad (MSL) | No aplica |
Estado del ciclo de vida | Obsoleto / final de la vida |
Categoría de stock | Stock disponible |