Tipo | Descripción |
Estado de la pieza | Active |
---|---|
Tipo de FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 12V |
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2A (Ta) |
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido) | 1.5V, 4.5V |
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 770pF @ 6V |
Característica FET | - |
Disipación de energía (máx.) | 800mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivos del proveedor | TUMT3 |
Paquete / Estuche | 3-SMD, Flat Leads |
Estado de rohs | RoHS |
---|---|
Nivel de sensibilidad de la humedad (MSL) | No aplica |
Estado del ciclo de vida | Obsoleto / final de la vida |
Categoría de stock | Stock disponible |