Tipo | Descripción |
Estado de la pieza | Active |
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Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20V |
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.5A (Ta) |
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido) | 1.8V, 4.5V |
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de energía (máx.) | 800mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivos del proveedor | TUMT3 |
Paquete / Estuche | 3-SMD, Flat Leads |
Estado de rohs | RoHS |
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Nivel de sensibilidad de la humedad (MSL) | No aplica |
Estado del ciclo de vida | Obsoleto / final de la vida |
Categoría de stock | Stock disponible |