Tipo | Descripción |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
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Tipo de FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30V |
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4A (Ta) |
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido) | 4V, 10V |
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de energía (máx.) | 1W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivos del proveedor | TSMT3 |
Paquete / Estuche | SC-96 |
Estado de rohs | RoHS |
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Nivel de sensibilidad de la humedad (MSL) | No aplica |
Estado del ciclo de vida | Obsoleto / final de la vida |
Categoría de stock | Stock disponible |