| Tipo | Descripción |
| Estado de la pieza | Active |
|---|---|
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6A (Ta) |
| Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido) | 4.5V |
| Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 21.1 mOhm @ 6A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 19.2nC @ 4.5V |
| Vgs (máx.) | ±8V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1360pF @ 10V |
| Característica FET | - |
| Disipación de energía (máx.) | 1W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivos del proveedor | TSMT3 |
| Paquete / Estuche | SC-96 |
| Estado de rohs | RoHS |
|---|---|
| Nivel de sensibilidad de la humedad (MSL) | No aplica |
| Estado del ciclo de vida | Obsoleto / final de la vida |
| Categoría de stock | Stock disponible |
