| Tipo | Descripción |
| Estado de la pieza | Active |
|---|---|
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1A (Ta) |
| Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido) | 4V, 10V |
| Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7nC @ 5V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 90pF @ 10V |
| Característica FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Disipación de energía (máx.) | 1.25W (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivos del proveedor | TSMT6 (SC-95) |
| Paquete / Estuche | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Estado de rohs | RoHS |
|---|---|
| Nivel de sensibilidad de la humedad (MSL) | No aplica |
| Estado del ciclo de vida | Obsoleto / final de la vida |
| Categoría de stock | Stock disponible |
