| Tipo | Descripción |
| Estado de la pieza | Active |
|---|---|
| Tipo de FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 500mA |
| Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 2.1nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 43pF @ 10V |
| Potencia - Max | 265mW |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Estuche | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Paquete de dispositivos del proveedor | DFN1010B-6 |
| Estado de rohs | RoHS |
|---|---|
| Nivel de sensibilidad de la humedad (MSL) | No aplica |
| Estado del ciclo de vida | Obsoleto / final de la vida |
| Categoría de stock | Stock disponible |
