| Tipo | Descripción |
| Estado de la pieza | Active |
|---|---|
| Configuración impulsada | Half-Bridge |
| Tipo de canal | Independent |
| Número de conductores | 2 |
| Tipo de puerta | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Suministro de voltaje | 10V ~ 20V |
| Voltaje lógico - VIL, VIH | 1.1V, 1.9V |
| Corriente - Salida máxima (fuente, sumidero) | 290mA, 430mA |
| Tipo de entrada | Non-Inverting |
| Voltaje de lado alto - Máx. (Bootstrap) | 600V |
| Tiempo de subida / bajada (tipo) | 75ns, 35ns |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Estuche | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paquete de dispositivos del proveedor | 8-SO |
| Estado de rohs | RoHS |
|---|---|
| Nivel de sensibilidad de la humedad (MSL) | No aplica |
| Estado del ciclo de vida | Obsoleto / final de la vida |
| Categoría de stock | Stock disponible |
