| Tipo | Descripción |
| Estado de la pieza | Active |
|---|---|
| Configuración impulsada | Low-Side |
| Tipo de canal | Independent |
| Número de conductores | 2 |
| Tipo de puerta | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Suministro de voltaje | 4.5V ~ 35V |
| Voltaje lógico - VIL, VIH | 0.8V, 3V |
| Corriente - Salida máxima (fuente, sumidero) | 2A, 2A |
| Tipo de entrada | Non-Inverting |
| Voltaje de lado alto - Máx. (Bootstrap) | - |
| Tiempo de subida / bajada (tipo) | 7.5ns, 6.5ns |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Estuche | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| Paquete de dispositivos del proveedor | 8-SOIC-EP |
| Estado de rohs | RoHS |
|---|---|
| Nivel de sensibilidad de la humedad (MSL) | No aplica |
| Estado del ciclo de vida | Obsoleto / final de la vida |
| Categoría de stock | Stock disponible |
