| Tipo | Descripción |
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
|---|---|
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 25V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 35A (Ta), 213A (Tc) |
| Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido) | 4.5V, 10V |
| Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 1.1 mOhm @ 35A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 100µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 4.5V |
| Vgs (máx.) | ±16V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5435pF @ 13V |
| Característica FET | Schottky Diode (Body) |
| Disipación de energía (máx.) | 2.1W (Ta), 78W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivos del proveedor | DIRECTFET™ MX |
| Paquete / Estuche | DirectFET™ Isometric MX |
| Estado de rohs | RoHS |
|---|---|
| Nivel de sensibilidad de la humedad (MSL) | No aplica |
| Estado del ciclo de vida | Obsoleto / final de la vida |
| Categoría de stock | Stock disponible |
