Tipo | Descripción |
Estado de la pieza | Obsolete |
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Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.) | 8000V |
Corriente - Rectificado promedio (Io) | 50mA (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If | 4.6V @ 50mA |
Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 0ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 3.8µA @ 8000V |
Capacitancia @ Vr, F | 25pF @ 1V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Estuche | Axial |
Paquete de dispositivos del proveedor | - |
Temperatura de funcionamiento: empalme | -55°C ~ 175°C |
Estado de rohs | RoHS |
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Nivel de sensibilidad de la humedad (MSL) | No aplica |
Estado del ciclo de vida | Obsoleto / final de la vida |
Categoría de stock | Stock disponible |