Tipo | Descripción |
Estado de la pieza | Active |
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Tipo de FET | - |
Tecnología | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200V |
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 25A (Tc) |
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido) | - |
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 10A |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (máx.) | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1403pF @ 800V |
Característica FET | - |
Disipación de energía (máx.) | 170W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivos del proveedor | D2PAK (7-Lead) |
Paquete / Estuche | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Estado de rohs | RoHS |
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Nivel de sensibilidad de la humedad (MSL) | No aplica |
Estado del ciclo de vida | Obsoleto / final de la vida |
Categoría de stock | Stock disponible |